[发明专利]CIS系粉末的制作方法及其靶材的制作方法无效
| 申请号: | 200810007546.4 | 申请日: | 2008-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN101519307A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
| 发明(设计)人: | 傅耀贤;黄文启;周邦彦;林世仁 | 申请(专利权)人: | 威奈联合科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C23C14/06;C23C14/34;H01L31/0264 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈 泊 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cis 粉末 制作方法 及其 | ||
1、一种CIS系粉末的制作方法,其特征在于,CIS系粉末的制作方法包括:
在一个含有惰性气体的反应槽内混合一种含有Cu的起始物、一种含有M1的起始物、一种含有M2的起始物及一种嵌合性溶剂,以使该嵌合性溶剂于该反应槽内抽取出所述起始物的阳离子与阴离子,并形成一呈均相的含有Cu、M1与M2的母体;
其中,该呈均相的母体经回流后进一步地反应形成含有黄铜矿晶相的粉末,M1是选自下列的元素:In、Ga,或其组合,M2是选自下列的元素:Se、S,或其组合。
2、根据权利要求1所述的CIS系粉末的制作方法,其特征在于,该嵌合性溶剂是选自下列的至少一种溶剂:乙二胺、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷,或吡啶;该含有Cu的起始物是选自下列的至少一种材料:CuCl、CuCl2·2H2O,或CuSO4;该含有M1的起始物是选自下列的至少一种材料:InCl3·4H2O、In2O3、In(NO3)3、Ga,或GaCl3;该含有M2的起始物是选自下列的至少一种材料:Se、Na2Se,或S。
3、根据权利要求2所述的CIS系粉末的制作方法,其特征在于,该嵌合性溶剂是二甲基甲酰胺;该含有Cu的起始物是CuCl;该含有M1的起始物是InCl3·4H2O与Ga的一种组合;该含有M2的起始物是Se;且CuCl、InCl3·4H2O、Ga与Se的摩尔浓度是在0.90:0.88:0.22:2.20~1.10:0.72:0.18:1.90之间。
4、根据权利要求2所述的CIS系粉末的制作方法,其特征在于,该嵌合性溶剂是二甲基甲酰胺;该含有Cu的起始物是CuCl;该含有M1的起始物是InCl3·4H2O;该含有M2的起始物是Se;且CuCl、InCl3·4H2O与Se的摩尔浓度是在0.90:1.10:1.90~1.10:0.90:2.20之间。
5、根据权利要求2所述的CIS系粉末的制作方法,其特征在于,该嵌合性溶剂是二甲基甲酰胺;该含有Cu的起始物是CuCl;该含有M1的起始物是In2O3与Ga的一种组合;该含有M2的起始物是Se;且CuCl、In2O3、Ga与Se的摩尔浓度是在0.90:0.88:0.22:2.20~1.10:0.72:0.18:1.90之间。
6、根据权利要求2所述的CIS系粉末的制作方法,其特征在于,该嵌合性溶剂是二甲基甲酰胺;该含有Cu的起始物是CuCl;该含有M1的起始物是In(NO3)3与Ga的一种组合;该含有M2的起始物是Se;且CuCl、In(NO3)3、Ga与Se的摩尔浓度是在0.90:0.88:0.22:2.20~1.10:0.72:0.18:1.90之间。
7、根据权利要求2所述的CIS系粉末的制作方法,其特征在于,该嵌合性溶剂是二甲基甲酰胺;该含有Cu的起始物是CuCl;该含有M1的起始物是InCl3·4H2O与Ga的一种组合;该含有M2的起始物是Na2Se;且CuCl、InCl3·4H2O、Ga与Na2Se的摩尔浓度是在0.90:0.88:0.22:2.20~1.10:0.72:0.18:1.90之间。
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