[发明专利]形成一半导体元件的方法有效
| 申请号： | 200810006858.3 | 申请日： | 2008-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101378022A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 游明华;黄泰钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，像是P通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体或N通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体，其具有应变通道区域，借由形成一栅极堆叠后，在源极区域及漏极区域形成凹进区来形成此半导体元件。接着，去除此栅极堆叠下的基板，然后，在此栅极堆叠下的源极区域及漏极区域中形成一磊晶层。在源极区域及漏极区域中的此磊晶层可被掺杂。在一实施例中，在此栅极堆叠下的磊晶层较低的部份被掺杂，其传导类型与源极区域及漏极区域的传导类型相反。在另一实施例中，此磊晶层未被掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 一半 导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法包含:提供一基板；形成一栅极介电质于该基板上；形成一栅极电极于该栅极介电质上；弄凹该基板于该栅极电极的反面的下方，借此形成一凹部；以及磊晶成长一磊晶层于该凹部中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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