[发明专利]形成一半导体元件的方法

权利要求书

1.一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法包含：

提供一基板；

形成一栅极介电质于该基板上；

形成一栅极电极于该栅极介电质上；

沿着该栅极电极的外边，形成第一组间隔物；

在该第一组间隔物形成以后，弄凹该基板于该栅极电极的反面的下方，借此形成一凹部；

磊晶成长一磊晶层于该凹部中；

将该第一组间隔物移除；

形成轻掺杂漏极；

沿着该栅极电极的外边，形成第二组间隔物；以及

形成重掺杂源极/漏极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的凹部有一深度为600埃至800埃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的磊晶成长的步骤包含：

磊晶成长该磊晶层使其凸起面高于栅极介电质的底面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包含：

掺杂一第一传导类型的多个离子于该磊晶层的一第一部分中；以及

掺杂一第二传导类型的多个离子于该磊晶层的一第二部分中；

其中该第一传导类型不同于该第二传导类型。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于其中所述的第一部分再被掺杂。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包含：

掺杂于该磊晶层的一较高的部分，未掺杂于该磊晶层的一较低的部分其下伏于该较高的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的弄凹的步骤包含：

执行一非等向性蚀刻；以及

执行一侧面等向性蚀刻。

8.一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法包含：

提供一基板；

形成一栅极堆叠于该基板上，并沿着该栅极堆叠的外边形成间隔物；

形成一凹部于该栅极堆叠的一面的下方，借此于该栅极堆叠下方的该基板有一凸起面；

形成一磊晶层于该凹部中，该磊晶层基本上填充至该栅极堆叠下方的该凹部；

在该磊晶层形成以后，将该间隔物移除；以及

在该间隔物移除以后，形成一源极区域及一漏极区域于该磊晶层中且于该栅极堆叠的反面上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于其中所述的栅极堆叠包含：

一栅极介电质；以及

一栅极电极；

其中该磊晶层的凸起面高于栅极介电质的底面。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于还包含：

掺杂一第一传导类型的多个离子于该磊晶层的一第一部分中；以及

掺杂一第二传导类型的多个离子于该磊晶层的一第二部分中；

其中该第一传导类型不同于该第二传导类型。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于其中所述的第一部分再被掺杂。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于还包含：

掺杂于该磊晶层的一较高的部分，未掺杂于该磊晶层的一较低的部分其下伏于该较高的部分。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于其中所述的栅极堆叠下方的凹部有一深度为600埃至800埃。

14.一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法包含：

提供一基板；

形成一栅极堆叠于该基板上，并沿着该栅极堆叠的外边形成间隔物；

形成多个凹部于该基板中且于该栅极堆叠的反面上；

穿透该栅极堆叠与该间隔物下方，借此产生一隧道于该栅极堆叠下方；

穿透之后，以一具有不同于该基板的晶格结构的一层填充至该隧道及该些凹部，并移除该间隔物；以及

形成一源极区域及一漏极区域于该层中且于该栅极堆叠的反面上。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于其中所述的栅极堆叠包含：

一栅极介电质；以及

一栅极电极；

其中该层的凸起面高于栅极介电质的底面。