[发明专利]形成到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管有效

专利信息
申请号: 200810005879.3 申请日: 2008-02-15
公开(公告)号: CN101252104A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 戴维·J·弗兰克;小道格拉斯·C·拉图利佩;安娜·W·托普尔;史蒂文·E·斯廷 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/768;H01L29/78
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管。在一个实施例中,该方法包括形成到晶体管的布线的方法,该方法包括:利用作为所希望的布局的镜象的掩模,在绝缘体上半导体(SOI)基片上形成晶体管,该形成过程包括形成栅极和每个栅极的源/漏区以及沟道,SOI基片包括绝缘体上半导体(SOI)层、埋式绝缘体层以及硅基片;在晶体管上形成电介质层;将电介质层键合到另一基片上;从SOI基片到埋式绝缘体层除去硅基片;从栅极的沟道一侧形成与源/漏区和栅极的每一个的接触;以及形成到栅极的沟道一侧上的接触的至少一个布线。
搜索关键词: 形成 晶体管 布线 方法 以及 相关
【主权项】:
1.一种形成到晶体管的布线的方法,该方法包括:利用作为所希望的布局的镜象的掩模,在绝缘体上半导体(SOI)基片上形成晶体管,该形成过程包括形成每个的栅极和源/漏区以及沟道,SOI基片包括绝缘体上半导体(SOI)层、埋式绝缘体层以及硅基片;在晶体管上形成电介质层;将电介质层键合到另一基片上;从SOI基片到埋式绝缘体层除去硅基片;从栅极的沟道一侧形成到源/漏区和栅极的每一个的接触;以及形成到栅极的沟道一侧上的各个接触至少一个布线。
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