[发明专利]形成到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管有效
申请号: | 200810005879.3 | 申请日: | 2008-02-15 |
公开(公告)号: | CN101252104A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 戴维·J·弗兰克;小道格拉斯·C·拉图利佩;安娜·W·托普尔;史蒂文·E·斯廷 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L29/78 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管。在一个实施例中,该方法包括形成到晶体管的布线的方法,该方法包括:利用作为所希望的布局的镜象的掩模,在绝缘体上半导体(SOI)基片上形成晶体管,该形成过程包括形成栅极和每个栅极的源/漏区以及沟道,SOI基片包括绝缘体上半导体(SOI)层、埋式绝缘体层以及硅基片;在晶体管上形成电介质层;将电介质层键合到另一基片上;从SOI基片到埋式绝缘体层除去硅基片;从栅极的沟道一侧形成与源/漏区和栅极的每一个的接触;以及形成到栅极的沟道一侧上的接触的至少一个布线。 | ||
搜索关键词: | 形成 晶体管 布线 方法 以及 相关 | ||
【主权项】:
1.一种形成到晶体管的布线的方法,该方法包括:利用作为所希望的布局的镜象的掩模,在绝缘体上半导体(SOI)基片上形成晶体管,该形成过程包括形成每个的栅极和源/漏区以及沟道,SOI基片包括绝缘体上半导体(SOI)层、埋式绝缘体层以及硅基片;在晶体管上形成电介质层;将电介质层键合到另一基片上;从SOI基片到埋式绝缘体层除去硅基片;从栅极的沟道一侧形成到源/漏区和栅极的每一个的接触;以及形成到栅极的沟道一侧上的各个接触至少一个布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810005879.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造