[发明专利]形成到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管

权利要求书

1.一种形成到晶体管的布线的方法，该方法包括：

利用作为所希望的布局的镜象的掩模，在绝缘体上半导体(SOI)基片上形成晶体管，该形成过程包括形成每个的栅极和源/漏区以及沟道，SOI基片包括绝缘体上半导体(SOI)层、埋式绝缘体层以及硅基片；

在晶体管上形成电介质层；

将电介质层键合到另一基片上；

从SOI基片到埋式绝缘体层除去硅基片；

从栅极的沟道一侧形成到源/漏区和栅极的每一个的接触；以及

形成到栅极的沟道一侧上的各个接触至少一个布线。

2.权利要求1的方法，其中形成进一步包括在SOI基片上形成倒置的对准掩模。

3.权利要求1的方法，进一步包括从沟道一侧形成晶体管的隔离区。

4.权利要求1的方法，其中另一基片包括下列之一：空白基片以及包括下列至少一个的基片：器件和构图于其中的布线。

5.权利要求4的方法，其中另一基片包括除硅之外的材料。

6.权利要求1的方法，其中接触形成包括：

对接触通孔进行构图和刻蚀，穿过埋式绝缘体层到达源/漏区和栅极的每一个；

刻蚀穿过源/漏区以暴露其导体并穿过或到达栅极以暴露其导体；以及

在接触通孔内形成金属。

7.权利要求6的方法，其中导体包括：a)对于源/漏区来说，为源/漏区的硅化物，以及b)对于栅极来说：b1)在栅极包括多晶硅的情况下，栅极的硅化物，或b2)在栅极包括金属的情况下，栅极的金属。

8.权利要求6的方法，其中构图和刻蚀包括对源/漏区和栅极进行分开的刻蚀。

9.权利要求6的方法，其中刻蚀包括停止于源/漏区、形成硅化物并继续穿过刻蚀到达栅极的导体。

10.权利要求1的方法，其中接触为欧姆接触。

11.权利要求8的方法，其中接触形成包括：

对接触通孔进行构图和刻蚀，穿过埋式绝缘体层，到达源/漏区和栅极的每一个；

刻蚀穿过源/漏区以暴露其导体并穿过或到达栅极以暴露其导体；以及

在接触通孔内再生长硅并形成硅化物。

12.权利要求1的方法，进一步包括：

除去埋式绝缘体层；

形成薄氧化物层；

形成导电层；

对导电层进行构图以形成晶体管的背栅极。

13.权利要求1的方法，进一步包括：

除去埋式绝缘体层；以及形成与晶体管的沟道相邻的应力电介质层。

14.权利要求1的方法，其中晶体管形成包括：

形成晶体管的隔离区；在形成栅极之前形成穿过隔离区的开口；以及

利用用于形成栅极的材料填充开口。

15.权利要求1的方法，其中接触形成以及至少一个布线的形成包括使用双镶嵌式工艺。

16.权利要求1的方法，进一步包括形成与埋式绝缘体层相邻的至少一个低电介质常数(低-K)层，接触形成和至少一个布线形成包括在低-K电介质层内形成接触和至少一个布线。

17.一种晶体管包括：

栅极；

源/漏区；

与栅极相邻的沟道；以及

到源/漏区和从晶体管的沟道一侧延伸的栅极中的至少一个的接触。

18.权利要求17的晶体管，进一步包括紧邻栅极施加的第一电介质应力层以及紧邻沟道施加的第二电介质应力层。

19.权利要求17的晶体管，进一步包括到源、漏和从晶体管的沟道一侧延伸的栅极区中的至少一个的接触。

20.一种形成到晶体管的布线的方法，该方法包括：

利用作为所希望的布局的镜象的掩模，在位于硅基片上的刻蚀停止层上的半导体层上形成晶体管，该形成包括形成每个的栅极和源/漏区；

在晶体管上形成绝缘层；

将电介质键合到另一基片上，另一基片包括以下之一：空白基片以及包括下列至少一个的基片：器件和构图于其中的布线；

去除硅基片直到刻蚀停止层；

形成穿过刻蚀停止层到达源/漏区和栅极的每一个的接触，其中接触形成包括：

对接触通孔进行构图和刻蚀，穿过刻蚀停止层到达源/漏区和栅极的每一个，

刻蚀穿过源/漏区以暴露其导体并穿过或到达栅极以暴露其导体，其中导体包括：a)对源/漏区，源/漏区的硅化物，以及

b)对栅极：b1)栅极包括多晶硅的情况下，栅极的硅化物，或

b2)栅极包括金属的情况下，栅极的金属，以及

在接触通孔内形成金属；以及形成到各个接触的至少一个布线。