[发明专利]薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置有效
| 申请号： | 200810004599.0 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101271924A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 若木政利;半那纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/161;H01L29/38;H01L29/04;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置。在薄膜晶体管中使用了含有Si、Ge的半导体层(4)，该半导体层(4)的Ge浓度在绝缘基板(1)侧高，半导体层(4)的结晶取向在离绝缘基板(1)侧20nm的区域为随机取向，而在半导体层(4)的膜表面侧显示(111)、(110)或(100)优先取向性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 使用 有机 el 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且Ge浓度在绝缘基板侧高。
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