[发明专利]薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且Ge浓度在绝缘基板侧高。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述Ge浓度在绝缘基板侧20nm以下的区域为10at％以上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述Ge浓度在膜厚40nm以上的区域为20at％以下。

4.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，所述多晶薄膜的结晶取向在绝缘基板侧20nm的区域显示随机取向性，并且在膜表面侧显示(110)取向性。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，作为显示所述随机取向性的X射线衍射强度，(220)强度为(111)强度的0.5倍以上0.7倍以下，(311)强度为(111)强度的0.2倍以上0.4倍以下。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述(110)取向性在从膜厚40nm至表面侧的X射线衍射(220)强度为(111)强度的0.8倍以上。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述Ge浓度在绝缘基板侧高。

8.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且所述多晶薄膜的结晶取向在绝缘基板侧20nm的区域显示随机取向性，在膜表面侧显示(111)取向性。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，作为显示所述随机取向性的X射线衍射强度，(220)强度为(111)强度的0.5倍以上0.7倍以下，(311)强度为(111)强度的0.2倍以上0.4倍以下。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述(111)取向性在从膜厚40nm至表面侧的X射线衍射(111)强度为(220)强度的2.5倍以上。

11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述Ge浓度在绝缘基板侧高。

12.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且所述多晶薄膜的结晶取向在绝缘基板侧20nm的区域显示随机取向性，在膜表面侧显示(100)取向性。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，作为显示所述随机取向性的X射线衍射强度，(220)强度为(111)强度的0.5倍以上0.7倍以下，(400)强度为(111)强度的0.05倍以上0.07倍以下。

14.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述(100)取向性在从膜厚40nm至表面侧的X射线衍射(400)强度为(111)强度的0.1倍以上。

15.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述Ge浓度在绝缘基板侧高。

16.一种有机EL显示装置，该有机EL显示装置包括在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极的薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且Ge浓度在绝缘基板侧高。

17.一种有机EL显示装置，该有机EL显示装置具备在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极的薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且所述多晶薄膜的结晶取向在绝缘基板侧20nm的区域显示随机取向性，而在膜表面侧显示(110)取向性。

18.一种有机EL显示装置，该有机EL显示装置具备在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极的薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且所述多晶薄膜的结晶取向在绝缘基板侧20nm的区域显示随机取向性，而在膜表面侧显示(111)取向性。

19.一种有机EL显示装置，该有机EL显示装置具备在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极的薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且所述多晶薄膜的结晶取向在绝缘基板侧20nm的区域中显示随机取向性，而在膜表面侧显示(100)取向性。