[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200810004154.2 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101239699A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 中村麻树子 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，可以使用由熔点低的材料形成的构造体，另外，可将密封该构造体而形成的空间置为高真空，并且，不在构造体上进行密封部件的成膜。利用牺牲膜覆盖形成于半导体基板(1)上的可动构造体(3)，利用硅氧化膜(5)覆盖该牺牲膜，进而在该硅氧化膜(5)上形成通孔。然后，通过该通孔除去牺牲膜，在可动构造体(3)和硅氧化膜(5)之间形成空间，并利用溅射法在硅氧化膜(5)上进行流动性高的铝或铝合金的成膜，来密封通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：利用牺牲膜覆盖形成于半导体基板上的可动构造体的工序；利用第一密封部件覆盖上述牺牲膜的工序；在上述第一密封部件上形成通孔的工序；通过上述通孔除去上述牺牲膜，在上述构造体和上述第一密封部件之间形成空间的工序；利用溅射法在上述第一密封部件上进行流动性高的第二密封部件的成膜，密封上述通孔的工序。
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