[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：

利用牺牲膜覆盖形成于半导体基板上的可动构造体的工序；

利用第一密封部件覆盖上述牺牲膜的工序；

在上述第一密封部件上形成通孔的工序；

通过上述通孔除去上述牺牲膜，在上述构造体和上述第一密封部件之间形成空间的工序；

利用溅射法在上述第一密封部件上进行流动性高的第二密封部件的成膜，密封上述通孔的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在靠近配置了上述可动构造体的区域以外的区域的第一密封部件上配置上述通孔。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在与上述可动构造体相邻配置的电极的上方配置上述通孔。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在上述可动构造体的上方不配置上述通孔。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

采用硅氧化膜、硅氮化膜、或它们的叠层膜作为上述第一密封部件。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

采用铝或铝合金作为上述第二密封部件。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

利用上述溅射法进行的铝或铝合金的成膜，在300～500℃的范围内进行。