[发明专利]双栅场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200810002824.7 | 申请日： | 2008-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101221985A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 盖伊·科恩;保罗·M.·所罗门 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有亚光刻源区和漏区的横向双栅FET结构。亚光刻源区和漏区被牺牲间隔件所限定。使用传统的硅工艺对亚光刻源区和漏区制造自对准金属半导体合金和金属接触。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双栅场效应晶体管(FET)，包括：单晶半导体沟道；位于半导体沟道两侧上的顶栅和背栅，用于控制通过半导体沟道的电流；半导体沟道邻接的源区和漏区，所述源区和漏区具有由间隔件印迹限定的横向尺寸；至少位于源区、漏区上方的金属半导体合金区；以及连接到所述金属半导体合金区边缘的掩埋金属线。
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