[发明专利]多晶粒封装及其方法无效
| 申请号： | 200810000027.5 | 申请日： | 2008-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101232008A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一多晶粒封装结构，其包含一基板具有容纳凹槽于其上表面中，与一第一通孔结构其中之终端接点于第一通孔之下，一第一晶粒放置于容纳凹槽，且一第一介电层形成于第一晶粒与基板之上，一第一重布导电层(RDL)形成于第一介电层之上。一第二介电层形成于第一RDL之上，一第三介电层形成于一第二晶粒之下，一第二重布导电层(RDL)形成于第三导电层之下，一第四介电层形成于此第二RDL之下。导电凸块接合此第一RDL与此第二RDL，一围阻材料环绕于此第二晶粒，此第二晶粒藉由此第一RDL、第二RDL以及此导电凸块，导通至此第一晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 封装 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一多晶粒封装结构，其特征在于：所述多晶粒封装结构，其包含：一基板其具有一晶粒容纳凹槽形成于此基板之上表面且一通孔结构贯通形成，其中具一导线电路具终端接点形成于此通孔结构之下；一第一晶粒放置于此晶粒容纳凹槽内；一第一介电层形成于此第一晶粒与此基板之上；一第一重布传导层(RDL)形成于此第一介电层之上，其中第一RDL藉由此通孔结构接合此第一晶粒与此终端接点；一第二介电层形成于此第一RDL之上；一第二晶粒；一第三介电层形成于此第二晶粒之下；一第二重布传导层(RDL)形成于此第三介电层之下，于此第二重布传导层RDL接合此第二晶粒；一第四介电层形成于此第二重布传导层RDL之下；导电凸块形成于第一晶粒与第二晶粒间，以接合此第一重布传导层RDL与此第二重布传导层RDL。
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