[发明专利]向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用了该装置的晶片除静电装置

摘要

在不打开半导体晶片收纳容器的盖的情况下，除去该半导体晶片收纳容器内的化学气体，并且阻止酸生成。在收纳半导体晶片(9)的半导体晶片收纳容器(1)的底板(5)设有多个呼吸口(8)，干燥空气或氮气的填充装置(A)与上述呼吸口(8)中的供给侧的呼吸口(8a)和排出侧的呼吸口(8b)连结固定，上述各呼吸口(8a、8b)通过具备PTFE过滤器(7)而形成，且上述填充装置(A)具备：向半导体晶片收纳容器(1)内供给干燥空气或氮气的干燥空气/氮气供给部(11)、和使用完干燥空气/氮气排出部(12)，该使用完干燥空气/氮气排出部(12)通过被提供到半导体晶片收纳容器(1)内的上述干燥空气或氮气，除去半导体晶片收纳容器(1)内的化学气体，并且除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，而后排出使用完干燥空气/氮气。

主权项

一种向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，该填充装置与在收纳有半导体晶片的半导体晶片收纳容器的底板上设置的多个呼吸口中的供给侧呼吸口和排出侧呼吸口连结固定，向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气，该填充装置其特征在于，上述各呼吸口形成为具备PTFE过滤器，上述填充装置，具备向上述半导体晶片收纳容器内供给干燥空气或氮气的干燥空气/氮气供给部、和使用完干燥空气/氮气排出部，该使用完干燥空气/氮气排出部，排出通过提供给上述半导体晶片收纳容器内的干燥空气或氮气，除去上述半导体晶片收纳容器内的化学气体，并且除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸后的使用完的干燥空气或氮气；上述干燥空气/氮气供给部，通过与具备供给喷嘴的供给侧的中空容器连结，并且该中空容器的供给喷嘴与上述供给侧的呼吸口紧密连结固定而形成，上述使用完干燥空气/氮气排出部，通过在具备排出喷嘴的排出侧的中空容器上设置将上述使用完干燥空气或氮气排出的排出口，并且该中空容器的排出喷嘴与上述排出侧的呼吸口紧密连结固定而形成，被提供给上述供给侧的中空容器内的干燥空气或氮气，通过上述PTFE过滤器除去灰尘，作为干燥空气流或氮气流而流入上述半导体晶片收纳容器内，除去半导体晶片收纳容器内的化学气体，并且除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，另一方面，将在除去上述半导体晶片收纳容器内的化学气体的同时除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸之后的使用完的干燥空气或氮气，借助排出侧的呼吸口的PTFE过滤器，向排出侧的中空容器排出，进而由排出口向外部排出。