[发明专利]向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用了该装置的晶片除静电装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种将收纳了在半导体制造中所使用的半导体晶片的半导体晶片收纳容器内的化学气体、水分除去，阻止在上述半导体晶片表面产生酸，向上述半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用该装置除去半导体晶片表面的静电的除静电装置。

背景技术

以往，在微环境方式无尘室的半导体制造工序中，随着半导体晶片的微细化的发展，加工工艺也日趋复杂。特别是在利用卤素气体的蚀刻工序中，蚀刻后残留的卤素气体与干燥空气中的水分发生反应而生成酸，由该酸所致的半导体晶片的腐蚀将成为大问题，作为其对策，采用如下的方法：在将加工后的晶片收纳于半导体晶片收纳容器中之后，置换没有水分的干燥空气或氮气，由此来阻止酸的生成，防止半导体晶片被腐蚀。

另外，在上述微环境方式无尘室的半导体制造工序中，在半导体晶片收纳容器内收纳着晶片进行搬运，并使其待机，在收纳到半导体晶片收纳容器中时，或在半导体晶片收纳容器搬运过程中，半导体晶片收纳容器内的晶片带电，发生半导体电路的静电破坏、或由于静电而使灰尘附着于晶片表面等问题，作为其对策，现状是在上述半导体晶片收纳容器的材料中混入碳，使其具有导电性，来抑制晶片带静电。

此外，关于如下所述的干燥气体或氮气填充装置以及如下所述的半导体晶片收纳容器内晶片除静电装置，即便溯及检索以往的专利文献，也完全没有公开这些干燥空气或氮气的填充装置及除静电装置，上述干燥空气或氮气的填充装置的目的在于，在不打开半导体晶片收纳容器的盖的情况下，向该半导体晶片收纳容器内供给干燥空气或氮气，在除去化学气体的同时，除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，防止半导体晶片被腐蚀；上述半导体晶片收纳容器内晶片除静电装置的目的在于，向上述半导体晶片收纳容器内供给离子化干燥空气或离子化氮气，在除去化学气体的同时，除去半导体晶片所带的静电，进而除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，防止半导体晶片被腐蚀。

如以往所述，为了防止卤素气体与水分反应生成酸而发生腐蚀，采用向半导体晶片收纳容器内填充水分极少的干燥空气或氮气的方法，但为了不降低生产率，要求填充时间短。另一方面，在将晶片收纳于半导体晶片收纳容器内时，由于晶片背面和机器人手臂接触，会发生少量的灰尘，但该灰尘容易进入半导体晶片收纳容器内，此外，还存在这些灰尘和由其他原因所致的灰尘积存在上述半导体晶片收纳容器的底部的问题。

另外，当向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气时，由于在初始阶段，半导体晶片收纳容器内的压力为大气压，所以以高速从半导体晶片收纳容器的吸气口向内部流入干燥空气或氮气，内部的压力升高时，流入速度降低。此外，还存在如下问题，即由于上述初始的干燥空气或氮气的高速流入，位于半导体晶片收纳容器的底或晶片背面的灰尘飞扬，会附着在晶片表面的半导体电路上。

另外，也尝试了通过质量流量计等来控制向半导体晶片收纳容器内的流入速度的方法，但即便设置质量流量计，也不会抑制开始流入时的流速的波动，另外，质量流量计价格极高，所以存在投资巨大的问题。

另一方面，随着半导体的微细化的进展，制造工序的灰尘的管理粒径也成为纳米级，微弱的静电会发生电路的破坏、灰尘的附着，既便是在上述半导体晶片收纳容器的材料中混入碳等导电性物质的方法，也无法完全防止半导体晶片所带的静电，相反如果增加碳量，也会导致产生来自半导体晶片收纳容器的化学气体，不会完全解决与半导体晶片带静电有关的问题。

另外，在由半导体制造商将半导体晶片收纳于半导体晶片收纳容器内时，也尝试了在打开半导体晶片收纳容器的盖的状态下从开放口吹入离子空气然后盖上盖的方法等，也存在几乎没有效果的问题。

发明内容

本发明正是为了解决上述课题而完成的，提供一种不打开半导体晶片收纳容器的盖，向该半导体晶片收纳容器内供给干燥空气或氮气，由此在除去化学气体的同时除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，防止半导体晶片被腐蚀的干燥空气或氮气的填充装置，以及使用该填充装置，向上述半导体晶片收纳容器内供给离子化干燥空气或离子化氮气，由此阻止在该半导体晶片收纳容器内的底部积存的灰尘的飞扬，并且除去半导体晶片所带的静电，进而除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，防止半导体晶片被腐蚀的除静电装置。

为了解决上述课题，技术方案1记载的发明提供一种向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，该填充装置与在收纳有半导体晶片的半导体晶片收纳容器的底板上设置的多个呼吸口中的供给侧呼吸口和排出侧呼吸口连结固定，向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气，该填充装置其特征在于，

上述各呼吸口形成为具备PTFE过滤器，