[发明专利]向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用了该装置的晶片除静电装置

权利要求书

1.一种向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，该填充装置与在收纳有半导体晶片的半导体晶片收纳容器的底板上设置的多个呼吸口中的供给侧呼吸口和排出侧呼吸口连结固定，向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气，该填充装置其特征在于，

上述各呼吸口形成为具备PTFE过滤器，

上述填充装置，具备向上述半导体晶片收纳容器内供给干燥空气或氮气的干燥空气/氮气供给部、和使用完干燥空气/氮气排出部，该使用完干燥空气/氮气排出部，排出通过提供给上述半导体晶片收纳容器内的干燥空气或氮气，除去上述半导体晶片收纳容器内的化学气体，并且除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸后的使用完的干燥空气或氮气；

上述干燥空气/氮气供给部，通过与具备供给喷嘴的供给侧的中空容器连结，并且该中空容器的供给喷嘴与上述供给侧的呼吸口紧密连结固定而形成，

上述使用完干燥空气/氮气排出部，通过在具备排出喷嘴的排出侧的中空容器上设置将上述使用完干燥空气或氮气排出的排出口，并且该中空容器的排出喷嘴与上述排出侧的呼吸口紧密连结固定而形成，

被提供给上述供给侧的中空容器内的干燥空气或氮气，通过上述PTFE过滤器除去灰尘，作为干燥空气流或氮气流而流入上述半导体晶片收纳容器内，除去半导体晶片收纳容器内的化学气体，并且除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，另一方面，

将在除去上述半导体晶片收纳容器内的化学气体的同时除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸之后的使用完的干燥空气或氮气，借助排出侧的呼吸口的PTFE过滤器，向排出侧的中空容器排出，进而由排出口向外部排出。

2.根据权利要求1所述的向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，其特征在于，在干燥空气/氮气供给部的干燥空气/氮气供给路径中设有缓冲罐。

3.根据权利要求2所述的向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，其特征在于，上述缓冲罐形成为仅具备中空室。

4.根据权利要求2所述的向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，其特征在于，对上述缓冲罐来说，在中空室中设有1个过滤器或隔以间隔设有多个过滤器。

5.根据权利要求2所述的向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，其特征在于，对上述缓冲罐来说，在中空室中设有1个多孔板或隔以间隔设有多个多孔板。

6.一种除静电装置，其使用了向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置，该填充装置与在收纳有半导体晶片的半导体晶片收纳容器的底板设置的多个呼吸口中的供给侧的呼吸口和排出侧的呼吸口连结固定，

上述各呼吸口形成为具备PTFE过滤器，

上述除静电装置具备：向上述半导体晶片收纳容器内供给离子化干燥空气或离子化氮气的离子化干燥空气/离子化氮气供给部、和使用完离子化干燥空气/离子化氮气排出部，该使用完离子化干燥空气/离子化氮气排出部，排出通过提供给上述半导体晶片收纳容器内的离子化干燥空气或离子化氮气，除去上述半导体晶片收纳容器内的化学气体，并且除去静电，进而除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸后的使用完的离子化干燥空气或离子化氮气；

上述离子化干燥空气/离子化氮气供给部，通过将具备供给喷嘴的供给侧的中空容器与对干燥空气或氮气进行离子化的离子发生部连结，并且该中空容器的供给喷嘴与上述供给侧的呼吸口紧密连结固定而形成，

上述使用完离子化干燥空气/离子化氮气排出部，通过在具备排出喷嘴的排出侧的中空容器上，设置排出上述使用完的离子化干燥空气或离子化氮气的排出口，并且该中空容器的排出喷嘴与上述排出侧的呼吸口紧密连结固定而形成，

被提供给上述供给侧的中空容器内的干燥空气或氮气，经离子化而成为离子化干燥空气或离子化氮气，通过上述PTFE过滤器，抑制离子丧失而将灰尘除去，作为离子化干燥空气流或离子化氮气流而流入上述半导体晶片收纳容器内，在除去半导体晶片收纳容器内的化学气体的同时，将静电除去，

进而除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸，另一方面，将在除去上述半导体晶片收纳容器内的化学气体的同时将静电除去，

进而除去水分而阻止在半导体晶片表面生成酸之后的使用完的离子化干燥空气或离子化氮气，借助排出侧的呼吸口的PTFE过滤器，向排出侧的中空容器排出，进而从排出口向外部排出。