[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200780052298.9 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101636830A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 中里功 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄型半导体装置及其制造方法，该半导体装置使金属细线的环路高度比现有的更低。本发明的半导体装置采用如下结构，即经由金属细线(51)将半导体芯片(54)的接合垫(55)和电极(53B)连接。所述金属细线(51)从第一接合点描绘弯曲部(57)，且经由弯曲部(57)端部的曲折部(59)而具有直线状的第二延伸部(60)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其至少具有：具有接合垫的半导体芯片；配置于所述半导体芯片周围的电极；将所述接合垫和所述电极电连接的金属细线，该半导体装置的特征在于，所述金属细线包含：一端与所述接合垫连接且顶部向上方弯曲的弯曲部；经由曲折部与所述弯曲部连续且朝向所述电极直线延伸的延伸部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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