[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其至少具有：具有接合垫的半导体芯片；配置于 所述半导体芯片周围的电极；第一端部与所述接合垫连接且第二端部与所述 电极电连接的金属细线，该半导体装置的特征在于，

所述金属细线包含：一端与所述接合垫连接且顶部向上方弯曲的弯曲 部；经由曲折部与所述弯曲部连续且朝向所述电极直线延伸的延伸部，

所述金属细线由硬质部及软质部这两个区域构成，所述硬质部和所述软 质部的边界配置于所述曲折部附近，

所述金属细线的所述第二端部与所述电极连接的部位，相比所述金属细 线的所述第一端部与所述接合垫连接的部位而配置在上方。

2.一种半导体装置，其至少具有：具有接合垫的半导体芯片；配置于 所述半导体芯片周围的电极；第一端部与所述接合垫连接且第二端部与所述 电极电连接的金属细线，该半导体装置的特征在于，

所述金属细线包含：一端与所述接合垫连接且顶部向上方弯曲的第一延 伸部；经由曲折部与所述第一延伸部连续且朝向所述电极直线延伸的第二延 伸部；从所述第二延伸部的端部朝向所述电极下降的第三延伸部，

所述金属细线由硬质部及软质部这两个区域构成，所述硬质部和所述软 质部的边界配置于所述曲折部附近，

所述金属细线的所述第二端部与所述电极连接的部位，相比所述金属细 线的所述第一端部与所述接合垫连接的部位而配置在上方。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从所述电极的表面 到弯曲部顶部的高度为70μm以下。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，从所述电极的表面 到所述第一延伸部顶部的高度为70μm以下。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述硬质部和 所述软质部的边界设于所述曲折部或比所述曲折部更靠近所述半导体芯片 侧。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二延伸部和 所述第三延伸部的边界设于与所述顶部同等高度的位置或设于顶部的下方。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片安装于由陶瓷基板、印刷线路板、柔性基板或硅插入板 构成的安装基板上，

所述电极由设于所述安装基板上面的导电图案构成，且设有用于对整体 进行密封的树脂。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

设有将所述半导体芯片、所述电极及所述金属细线密封的树脂，所述电 极由导电板构成，从所述树脂露出到外部。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述弯曲部的轨迹 呈现出圆周的一部分或椭圆的一部分。

10.一种半导体装置的制造方法，使用接合装置并使用金属细线将半导 体芯片和配置于所述半导体芯片周围的电极电连接，该接合装置至少具有毛 细管、位于所述毛细管的端部附近的火花装置及紧固件，该半导体装置的制 造方法的特征在于，具备如下工序：

在利用所述火花装置在所述毛细管的端部形成金属球时，通过控制所述 火花装置中流动的电流的时间，控制由从所述金属球延伸的金属细线的再结 晶部分构成的硬质部的长度的工序；

将所述金属球与所述半导体芯片的接合垫连接的工序；

以使用所述毛细管形成第一延伸部、曲折部及第二延伸部的方式使与所 述金属球一体的金属细线曲折的工序，该第一延伸部为描绘出将顶部向上方 弯曲的轨迹的弯曲部，该曲折部设于所述第一延伸部的终端部，该第二延伸 部朝向所述电极直线状延伸；

在使所述金属细线曲折的工序中，所述硬质部的终端区域位于所述曲折 部附近，

所述金属细线与所述电极连接的部位，相比所述金属细线与半导体芯片 连接的部位而配置在上方。