[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200780052298.9 | 申请日: | 2007-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN101636830A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
| 发明(设计)人: | 中里功 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 岳雪兰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及采用金属细线的半导体装置及其制造方法。
背景技术
近年来,手机、PDA、DVC、DSC这样的便携式电子设备的高性能化正 在加速,为使这样的产品被市场接受,需要使其小型化/轻量化。而且,在地 球温暖化进程中,寻求尽可能地减少资源的使用,且不产生环境负荷。当然, 半导体装置也在寻求轻量化、薄型化及小型化且进一步削减材料。
另一方面,由于半导体装置寻求薄型化,故有时不采用金属细线而使用 导电板代替倒装片安装、金属细线。但是,由于金属细线的接合技术在较长 历史时期内发展而成,是可靠性高的技术,因此,仍继续采用。
例如,图8是典型的半导体装置100的剖面图,该半导体装置100由如 下部件构成:固定于岛部101上的半导体芯片102;一端接近岛部101的周围 而配置的引线103;将半导体芯片102的接合垫和上述引线103电连接的金属 细线104A(或104B);将上述岛部101、半导体芯片102、引线103、金属细 线104A密封的树脂105。
在此,金属细线104表示出两种,虚线所示的是以往一直采用的三角形 环路的金属细线104A,实线所示的是M型环路的金属细线104B。
前者的金属细线104A至顶部106的高度相当高。因此,若与薄型封装对 应,则需要降低其顶部106的高度。但是,若降低顶部106的高度,则从顶 部106倾斜延伸的金属细线104A可能与半导体芯片102短路。
因此,开发出一种降低金属线环路的高度而且不会与半导体芯片102短 路的形状。其被称作M环路,例如记载于日本特许第3276899号公报中。
参照图7说明上述M环路的形状的金属细线104B的制造方法。图7(A) 是表示毛细管150的轨迹的图,图7(B)~图7(H)是表示金属细线根据 上述轨迹描绘出某种形状的图。另外,图7(B)中设置于毛细管150的箭头 表示图7(A)所示的附图标记及箭头的方向。例如,图7(B)中的箭头157 是图7(A)中第三个箭头,也对其标注相同的附图标记。即,图7(B)所 示的箭头应该描绘毛细管150上升的过程。
1、毛细管150例如与半导体芯片的接合垫151进行第一接合后,如箭头 155、156、157那样移动。由此,如图7(B)所示,金属细线向右倾斜地延 伸后,形成上升的金属细线。
2、如图7(A)所示的箭头158那样向右侧移动。由此,如图7(C)所 示,金属细线形成向左凸出的抛物线。
3、如图7(A)中箭头159那样上升到一定高度,之后,如箭头160那 样沿水平方向移动,进一步如箭头161那样在垂直方向下降。由此,如图7 (E)所示,形成M环路的中央的槽165。
4、如图7(A)中箭头162所示,沿垂直方向上升,通过与毛细管150 一同装备的紧固件保持金属细线,如箭头163所示,描绘环路并与电极152 的上面进行第二接合。由此,如图7(H)所示,可形成M环路。
根据上述的现有技术,图7(H)的曲折部166形成为位于芯片端110的 外侧,能够降低金属细线的高度,与此同时,能够保持芯片端110和金属细 线104B的离开距离。
即,能够减薄封装的厚度,与此同时能够防止金属细线的短路。
但是,由于便携式设备的进步,因此,寻求进一步的轻量化、薄型化及 小型化,并寻求该环路高度进一步降低的连接方法。
发明内容
本发明的半导体装置至少具有:具有接合垫的半导体芯片、配置于所述 半导体芯片周围的电极、第一端部与所述接合垫连接且第二端部与所述电极 电连接的金属细线,该半导体装置的特征在于,所述金属细线包含:一端与 所述接合垫连接且顶部向上方弯曲的弯曲部;经由曲折部与所述弯曲部连续 且朝向所述电极直线延伸的延伸部,所述金属细线由硬质部及软质部这两个 区域构成,所述硬质部和所述软质部的边界配置于所述曲折部附近,所述金 属细线的所述第二端部与所述电极连接的部位,相比所述金属细线的所述第 一端部与所述接合垫连接的部位而配置在上方。
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