[发明专利]可去除隔离层有效
| 申请号： | 200780049581.6 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101578691A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 金智洙;柯南·江;崔大汉;列扎·S·M·萨贾迪;迈克尔·葛斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种形成半导体器件的方法。栅堆叠形成在衬底表面上方。提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方沉积材料，并且提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物以及成形该被沉积材料的轮廓。使用所述隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入衬底。将所述隔离层去除。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法。包括：在衬底表面上方形成栅堆叠；提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括：提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方沉积材料，并且提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物以及成形该被沉积材料的轮廓；使用所述聚合物隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入所述衬底；以及去除所述聚合物隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
