[发明专利]可去除隔离层

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法。包括：

在衬底表面上方形成栅堆叠；

提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循 环，其中每个循环包括：

提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和 所述衬底表面上方沉积材料，并且

提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物 以及成形该被沉积材料的轮廓；

使用所述聚合物隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入所 述衬底；以及

去除所述聚合物隔离层。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在去除所述聚合物隔离 层之后，在所述半导体器件上方布置至少一个应力层。

3.如权利要求1-2任一项所述的方法，进一步包括在将掺杂剂注 入所述衬底之后形成额外的隔离层，以及在形成额外的隔离层 之后将额外的掺杂剂注入进所述衬底。

4.如权利要求1-2任一项所述的方法，其中提供用来形成聚合物 隔离层的多个循环提供至少3个循环。

5.如权利要求1-2任一项所述的方法，进一步包括：

在将掺杂剂注入进所述衬底之后，提供用来在所述栅堆 叠侧面形成聚合物隔离层的额外的多个循环，其中每个循环包 括：

提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和 所述衬底表面上方沉积材料，并且

提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物 以及成形该被沉积材料的轮廓；

在提供形成聚合物隔离层的额外的多个循环之后，将额 外的掺杂剂注入所述衬底。

6.如权利要求1-2任一项所述的方法，其中提供用来形成聚合 物隔离层的多个循环形成聚合物隔离层，其形成环绕着所述栅 堆叠的竖直侧壁。

7.如权利要求1-2任一项所述的方法，其中所述去除聚合物隔离 层包括提供氧气灰化。

8.如权利要求1-2任一项所述的方法，其中所述去除聚合物隔离 层包括提供灰化。