[发明专利]晶体管器件和制造这一晶体管器件的方法有效
| 申请号： | 200780046404.2 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101558497A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 塞巴斯蒂安·努汀克;吉尔贝托·库拉托拉 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种晶体管器件(10)，该晶体管器件(10)包括：衬底(11，14)；在衬底(11，14)上沿着水平方向成一条直线的鳍(3，3A)；鳍(3，3A)中的第一种电导类型的第一源极/漏极区域(4)；鳍(3，3A)中的第二种电导类型的第二源极/漏极区域(5)，其中第一种电导类型不同于第二种电导类型；在鳍(3，3A)中介于第一源极/漏极区域(4)与第二源极/漏极区域(5)之间的沟道区域(33)；沟道区域(33)上的栅极绝缘体(6)；和在栅极绝缘体(6)上的栅极结构(7，8)，其中第一源极/漏极区域(4)、沟道区域(33)和第二源极/漏极区域(5)的序列沿着水平方向成一条直线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件(10)，该晶体管器件(10)包括衬底(11，14)；在衬底(11，14)上沿着水平方向延伸的鳍(3，3A)；鳍(3，3A)中的第一种电导类型的第一源极/漏极区域(4)；鳍(3，3A)中的第二种电导类型的第二源极/漏极区域(5)，其中第一种电导类型不同于第二种电导类型；鳍(3，3A)中介于第一源极/漏极区域(4)与第二源极/漏极区域(5)之间的沟道区域(33)；沟道区域(33)上的栅极绝缘体(6)；栅极绝缘体(6)上的栅极结构(7，8)；其中，在水平方向上，沟道区域(33)在第一源极/漏极区域(4)和第二源极/漏极区域(5)之间延伸。
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