[发明专利]用于形成平坦肖特基接触的结构和方法有效
| 申请号： | 200780045391.7 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101553931A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德·塞西诺 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/338 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明;张 英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种单片电路集成的沟槽FET和肖特基二极管包括多个沟槽，这些沟槽延伸至半导体层的FET区和肖特基区中。肖特基区中的沟槽包括为沟槽侧壁加衬的介电层、以及导电电极，其中导电电极具有与相邻于该沟槽的半导体层的顶部表面基本共面的顶部表面。互连层与肖特基区中的半导体层电接触，以便形成与半导体层的肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 平坦 肖特基 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片电路集成的沟槽FET和肖特基二极管，包括：多个沟槽，所述沟槽延伸至半导体层的FET区和肖特基区中，所述肖特基区中的沟槽具有为所述沟槽侧壁加衬的介电层和导电电极，所述导电电极具有与邻近所述沟槽的所述半导体层的顶部表面基本共面的顶部表面；以及互连层，所述互连层与所述肖特基区中的所述半导体层电接触，从而形成与所述半导体层的肖特基接触。
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