[发明专利]具有金属电极的半导体器件的形成及其结构有效
| 申请号： | 200780044600.6 | 申请日： | 2007-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101743622A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 小威廉姆·J·泰勒 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底(12)的上方形成栅电介质(14)，在栅电介质(14)的上方形成金属电极(16)，在金属电极的上方形成包含多晶硅或金属的第一牺牲层(18)，去除第一牺牲层(17)，并在金属电极(16)的上方形成与金属电极(16)耦接的栅电极接触(44)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属电极 半导体器件 形成 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底的上方形成栅电介质；在所述栅电介质的上方形成金属电极；在所述金属电极的上方形成第一牺牲层，其中所述第一牺牲层包括从由多晶硅和金属组成的组中选择的材料；去除所述第一牺牲层；以及在所述金属电极的上方形成与所述金属电极耦接的栅电极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
