[发明专利]具有金属电极的半导体器件的形成及其结构

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的上方形成栅电介质；

在所述栅电介质的上方形成金属电极；

在所述金属电极的上方形成第一牺牲层，其中所述第一牺牲层包 括从由多晶硅和金属组成的组中选择的材料；

在所述半导体器件的暴露的包含硅的区域上方形成硅化物层，其 中所述形成硅化物层的步骤是在所述形成所述第一牺牲层的步骤之 后进行的；

在所述形成硅化物层的步骤之后去除所述第一牺牲层；以及

在所述金属电极的上方形成与所述金属电极耦接的栅电极接触。

2.如权利要求1记载的方法，还包括以下步骤：

形成与所述金属电极和所述第一牺牲层相邻的间隔件，

其中该形成所述间隔件的步骤是在去除所述第一牺牲层的步骤 之前进行的。

3.如权利要求1记载的方法，其中，

形成所述第一牺牲层的步骤包括形成包含多晶硅的第一牺牲层。

4.如权利要求1记载的方法，其中，

形成所述第一牺牲层的步骤包括形成包含第一金属的第一牺牲 层。

5.如权利要求4记载的方法，其中，

形成包含所述第一金属的所述第一牺牲层的步骤包括如下步骤：

形成包含所述第一金属的所述第一牺牲层，其中所述第一牺牲层 能够关于所述金属电极被选择性地去除。

6.如权利要求4记载的方法，其中，

形成所述金属电极的步骤包括形成包含不同于所述第一金属的 第二金属的金属电极。

7.如权利要求1记载的方法，其中，

形成所述金属电极的步骤包括形成厚度在20～200埃的范围的 金属电极，形成所述第一牺牲层的步骤包括形成厚度在400～1000埃 的范围的第一牺牲层。

8.如权利要求1记载的方法，还包括以下步骤：

在所述第一牺牲层的上方形成第二牺牲层；以及

在形成所述栅电极接触之前去除所述第二牺牲层。

9.如权利要求8记载的方法，其中，

形成所述第二牺牲层的步骤包括形成包含氮化物的第二牺牲层。

10.如权利要求8记载的方法，其中，

形成所述第二牺牲层的步骤包括形成包含金属的第二牺牲层。

11.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的上方形成栅电介质；

在所述栅电介质的上方形成金属电极；

在所述金属电极的上方形成第一牺牲层，所述第一牺牲层包含多 晶硅；

在所述第一牺牲层的上方形成第二牺牲层；

形成与所述金属电极、所述第一牺牲层、以及所述第二牺牲层相 邻的间隔件；

在所述半导体器件的暴露的包含硅的区域上方形成硅化物层，其 中所述形成硅化物层的步骤是在所述形成所述第二牺牲层的步骤之 后进行的；

在所述形成硅化物层的步骤之后去除所述第二牺牲层；

去除所述第一牺牲层；以及

在所述金属电极的上方形成与所述金属电极耦接的栅电极接触。

12.如权利要求11记载的方法，其中，

形成所述第二牺牲层的步骤包括形成包含氮化物的第二牺牲层。

13.如权利要求11记载的方法，其中，

形成所述第二牺牲层的步骤包括形成包含金属的第二牺牲层。

14.如权利要求11记载的方法，其中，

形成所述间隔件的步骤包括形成高度为所述金属电极与所述栅 电介质的组合高度的至少两倍的间隔件。

15.如权利要求11记载的方法，其中，

形成所述金属电极的步骤包括形成厚度在20～200埃的范围的 金属电极。