[发明专利]微芯片衬底的接合方法以及微芯片有效
| 申请号： | 200780043431.4 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101542293A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 平山博士 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 |
| 主分类号： | G01N35/08 | 分类号： | G01N35/08;G01N37/00;B01J19/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种接合方法，能够在微细流路的内表面上形成亲水性的膜，简单地把衬底相互接合起来而制造微芯片。对于在表面上形成了微细流路(11)的微芯片衬底(10)，在形成了微细流路(11)的面上形成SiO2膜(12)。此时，在微细流路(11)的内表面上和与微芯片衬底(20)接合的面(接合面)上形成SiO2膜。对于板状的微芯片衬底(20)也是，在与微芯片衬底(10)接合的面(接合面)上形成SiO2膜(21)。然后，通过激活SiO2膜(12、21)的表面，把微芯片衬底(10)和微芯片衬底(20)接合起来。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 衬底 接合 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种微芯片衬底的接合方法，在两个树脂制部件中的至少一个树脂制部件上形成流路用槽，以形成有上述流路用槽的面为内侧把上述两个树脂制部件接合起来，其特征在于：对上述两个树脂制部件的每一个，在要接合的面的表面上形成以SiO2为主要成分的SiO2膜；通过激活上述SiO2膜，把上述两个树脂制部件接合起来。
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