[发明专利]微芯片衬底的接合方法以及微芯片有效
| 申请号: | 200780043431.4 | 申请日: | 2007-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN101542293A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
| 发明(设计)人: | 平山博士 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 |
| 主分类号: | G01N35/08 | 分类号: | G01N35/08;G01N37/00;B01J19/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 衬底 接合 方法 以及 | ||
1.一种微芯片衬底的接合方法,在两个树脂制部件中的至少一 个树脂制部件上形成流路用槽,以形成有上述流路用槽的面为内侧把 上述两个树脂制部件接合起来,其特征在于:
对上述两个树脂制部件的每一个,在要接合的面的整个表面上形 成以SiO2为主要成分的SiO2膜;
通过激活上述SiO2膜,把上述两个树脂制部件接合起来。
2.如权利要求1所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:通 过紫外线照射进行上述激活。
3.如权利要求2所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:上 述紫外线照射中使用的紫外线的波长为170nm~180nm。
4.如权利要求1所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:通 过等离子体照射进行上述激活。
5.如权利要求1所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:通 过离子束照射进行上述激活。
6.如权利要求1~5中任一项所述的微芯片衬底的接合方法,其特 征在于:上述SiO2膜的表面粗糙度Ra为Ra≤2nm。
7.如权利要求1~5中任一项所述的微芯片衬底的接合方法,其特 征在于:上述两个树脂制部件的表面即形成有上述SiO2膜的面的表面 粗糙度Ra为Ra≤2nm。
8.如权利要求1~5中任一项所述的微芯片衬底的接合方法,其特 征在于:上述两个树脂制部件中的形成有上述流路用槽的树脂制部件 是板状部件,未形成上述流路用槽的树脂制部件是膜状部件。
9.一种微芯片,其特征在于:该微芯片是利用如权利要求1~8 中任一项所述的微芯片衬底的接合方法接合而成的。
10.一种微芯片,该微芯片是在两个树脂制部件中的至少一个树 脂制部件上形成流路用槽,以形成有上述流路用槽的面为内侧把上述 两个树脂制部件接合起来而成的,其特征在于:
在上述两个树脂制部件之间形成两层以上的SiO2膜,利用上述 两层以上的SiO2膜把上述两个树脂制部件接合起来,
对上述两个树脂制部件的每一个,在要接合的面的整个表面上形 成SiO2膜。
11.如权利要求10所述的微芯片,其特征在于:上述两层以上的 SiO2膜的边界上的表面粗糙度Ra为Ra≤2nm。
12.如权利要求10或11所述的微芯片,其特征在于:上述两个树 脂制部件的表面即形成有上述SiO2膜的面的表面粗糙度Ra为Ra≤ 2nm。
13.如权利要求10或11所述的微芯片,其特征在于:上述两个树 脂制部件中的形成有上述流路用槽的树脂制部件是板状部件,未形成 上述流路用槽的树脂制部件是膜状部件。
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