[发明专利]微芯片衬底的接合方法以及微芯片有效

专利信息
申请号: 200780043431.4 申请日: 2007-11-09
公开(公告)号: CN101542293A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 平山博士 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
主分类号: G01N35/08 分类号: G01N35/08;G01N37/00;B01J19/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 芯片 衬底 接合 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种微芯片衬底的接合方法,在两个树脂制部件中的至少一 个树脂制部件上形成流路用槽,以形成有上述流路用槽的面为内侧把 上述两个树脂制部件接合起来,其特征在于:

对上述两个树脂制部件的每一个,在要接合的面的整个表面上形 成以SiO2为主要成分的SiO2膜;

通过激活上述SiO2膜,把上述两个树脂制部件接合起来。

2.如权利要求1所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:通 过紫外线照射进行上述激活。

3.如权利要求2所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:上 述紫外线照射中使用的紫外线的波长为170nm~180nm。

4.如权利要求1所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:通 过等离子体照射进行上述激活。

5.如权利要求1所述的微芯片衬底的接合方法,其特征在于:通 过离子束照射进行上述激活。

6.如权利要求1~5中任一项所述的微芯片衬底的接合方法,其特 征在于:上述SiO2膜的表面粗糙度Ra为Ra≤2nm。

7.如权利要求1~5中任一项所述的微芯片衬底的接合方法,其特 征在于:上述两个树脂制部件的表面即形成有上述SiO2膜的面的表面 粗糙度Ra为Ra≤2nm。

8.如权利要求1~5中任一项所述的微芯片衬底的接合方法,其特 征在于:上述两个树脂制部件中的形成有上述流路用槽的树脂制部件 是板状部件,未形成上述流路用槽的树脂制部件是膜状部件。

9.一种微芯片,其特征在于:该微芯片是利用如权利要求1~8 中任一项所述的微芯片衬底的接合方法接合而成的。

10.一种微芯片,该微芯片是在两个树脂制部件中的至少一个树 脂制部件上形成流路用槽,以形成有上述流路用槽的面为内侧把上述 两个树脂制部件接合起来而成的,其特征在于:

在上述两个树脂制部件之间形成两层以上的SiO2膜,利用上述 两层以上的SiO2膜把上述两个树脂制部件接合起来,

对上述两个树脂制部件的每一个,在要接合的面的整个表面上形 成SiO2膜。

11.如权利要求10所述的微芯片,其特征在于:上述两层以上的 SiO2膜的边界上的表面粗糙度Ra为Ra≤2nm。

12.如权利要求10或11所述的微芯片,其特征在于:上述两个树 脂制部件的表面即形成有上述SiO2膜的面的表面粗糙度Ra为Ra≤ 2nm。

13.如权利要求10或11所述的微芯片,其特征在于:上述两个树 脂制部件中的形成有上述流路用槽的树脂制部件是板状部件,未形成 上述流路用槽的树脂制部件是膜状部件。

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