[发明专利]可缩放电可擦除可编程存储器有效
| 申请号： | 200780032469.1 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101512776A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | S·S·吉奥格舒;P·考斯敏;G·萨玛兰多 | 申请（专利权）人： | 催化剂半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器包括一个或多个EEPROM单元对。每个EEPROM单元对包括三个晶体管且存储两个数据位，实际上提供1.5个晶体管EEPROM单元。EEPROM单元对包括第一非易失性存储器晶体管、第二非易失性存储器晶体管以及源极存取晶体管。该源极存取晶体管包括：与第一非易失性存储器晶体管相连续的第一源极区；与第二非易失性存储器晶体管相连续的第二源极区；以及穿过第一阱区向下延伸至与第二阱区接触的漏极区。第一、第二、和第三半导体区和第二阱区具有第一导电类型，而第一阱区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 缩放 擦除 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储器阵列，包括：一个或多个电可擦除可编程存储器(EEPROM)单元对，各个所述对被配置成存储两个数据位，且包括：第一非易失性存储器晶体管；第二非易失性存储器晶体管；以及位于第一阱区并耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的源极、所述第二非易失性存储器晶体管的源极、以及第二阱区的源极存取晶体管，其中所述第一阱区位于所述第二阱区中。
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