[发明专利]可缩放电可擦除可编程存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储器阵列，包括：

一个或多个电可擦除可编程存储器(EEPROM)单元对，各个所述对被配置成存储两个数据位，且包括：

第一非易失性存储器晶体管，具有第一源极区和第一漏极区；

第二非易失性存储器晶体管，具有第二源极区和第二漏极区，其中

所述第一源极区、所述第一漏极区、所述第二源极区和所述第二漏极区是

具有相同导电类型的分开区域；以及

源极存取晶体管，与所述第一非易失性存储器晶体管共享所述第

一源极区，且与所述第二非易失性存储器晶体管共享所述第二源极区。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，还包括耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的所述第一漏极区和所述第二非易失性存储器晶体管的所述第二漏极区的位线。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，还包括：

耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的控制栅极的第一字线；以及

耦合到所述第二非易失性存储器晶体管的控制栅极的第二字线；以及

耦合到所述源极存取晶体管的栅极的源极选择线。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述第一字线、所述第二字线和所述源极选择线沿第一轴平行延伸。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，各个EEPROM单元对中仅有的晶体管是所述第一非易失性存储器晶体管、所述第二非易失性存储器晶体管、和所述源极存取晶体管。

6.一种非易失性存储器阵列，包括：

一个或多个电可擦除可编程存储器(EEPROM)单元对，各个所述对被配置成存储两个数据位，且包括：

第一非易失性存储器晶体管，具有第一源极区；

第二非易失性存储器晶体管，具有第二源极区；以及

源极存取晶体管，与所述第一非易失性存储器晶体管共享所述第一源极区，且与所述第二非易失性存储器晶体管共享所述第二源极区，其中所述源极存取晶体管包括浮置栅电极和控制栅电极。

7.一种非易失性存储器阵列，包括：

一个或多个电可擦除可编程存储器(EEPROM)单元对，各个所述对被配置成存储两个数据位，且包括：

第一非易失性存储器晶体管；

第二非易失性存储器晶体管；以及

源极存取晶体管，具有与所述第一非易失性存储器晶体管的源极区相连续的第一半导体区、与所述第二非易失性存储器晶体管的源极区相连续的第二半导体区、以及穿过第一阱区向下延伸至与第二阱区接触的第三半导体区，其中所述第一、第二和第三半导体区和所述第二阱区具有第一导电类型，而所述第一阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，还包括耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的漏极和所述第二非易失性存储器晶体管的漏极的位线。

9.如权利要求7所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，还包括：

耦合到所述第一非易失性存储器晶体管的控制栅极的第一字线；以及

耦合到所述第二非易失性存储器晶体管的控制栅极的第二字线；以及

耦合到所述源极存取晶体管的栅极的源极选择线。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述第一字线、所述第二字线和所述源极选择线沿第一轴平行延伸。

11.如权利要求7所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述源极存取晶体管包括浮置栅电极和控制栅电极。

12.如权利要求7所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，各个EEPROM单元对中仅有的晶体管是所述第一非易失性存储器晶体管、所述第二非易失性存储器晶体管、和所述源极存取晶体管。