[发明专利]多功能以及紧凑的DC耦合CML缓冲器有效
申请号: | 200780024258.3 | 申请日: | 2007-06-18 |
公开(公告)号: | CN101479937A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | C·纳拉通;苏文俊 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356;H03K19/0185;H03K19/017 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过相邻导体将CML缓冲器(102)的差分信号输出节点DC耦合到负载(105)(例如CML逻辑元件)的差分信号输入节点。CML缓冲器(102)包括下拉负载锁存器(112),其增加了缓冲器的跨导,提供通过这些导体的DC偏置电压,并将DC偏置电压提供到负载(105)的输入节点上,从而负载无需具有DC偏置电路。在缓冲器和负载之间不需要传统的AC耦合的电容器,从而减少了实现电路所需要的管芯面积量,并且减少了缓冲器到负载的连接的电容量。由于缓冲器到负载的连接的电容量低,所以开关功耗低。可在从小于大约5千赫兹到大于1千兆赫兹的宽频范围内,以小于50%的信号衰减,将差分信号从缓冲器传送到负载。 | ||
搜索关键词: | 多功能 以及 紧凑 dc 耦合 cml 缓冲器 | ||
【主权项】:
1、一种缓冲器电路,包括:第一差分信号输入节点;第二差分信号输入节点;第一差分信号输出节点;第二差分信号输出节点;第一场效应晶体管(FET),其具有源极、漏极和栅极,其中,所述栅极耦合到所述第一差分信号输入节点,所述源极耦合到所述第一差分信号输出节点;第二场效应晶体管(FET),其具有源极、漏极和栅极,其中,所述漏极耦合到所述第一FET的漏极,所述栅极耦合到所述第二差分信号输入节点,所述源极耦合到所述第二差分信号输出节点;锁存器,其具有第一输入节点和第二输入节点,其中,所述锁存器的第一输入节点是所述第一差分信号输出节点,所述锁存器的第二输入节点是所述第二差分信号输出节点。
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