[发明专利]存储元件、数据记录方法以及IC标签

摘要

本发明的存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，其具有：第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，导电性液晶半导体材料层，其以覆盖前述第1电极群的方式形成，并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，第2电极群，其由在前述导电性液晶半导体材料层上沿着与前述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。

主权项

1. 一种存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，所述存储元件具有：第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，导电性液晶半导体材料层，其以覆盖所述第1电极群的方式形成，并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，第2电极群，其由在所述导电性液晶半导体材料层上沿着与所述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。