[发明专利]存储元件、数据记录方法以及IC标签

权利要求书

1.一种存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，所述存储元件具有：

第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，

导电性液晶半导体材料层，其以覆盖所述第1电极群的方式形成，并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，

第2电极群，其由在所述导电性液晶半导体材料层上沿着与所述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，对包含不具有液晶分子排列的状态的所述液晶化合物的所述导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，生成该液晶化合物的液晶状态的分子排列，由此形成同时具有导电性和光学各向异性两种性质的光斑，并可通过该具有导电性的光斑和非导电性的光斑以及光学各向异性的差异而存储信息，可以使用电学方法和光学方法这两种不同方法的任一种读取信息。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述液晶化合物为下述通式(1)所示的苯乙烯基衍生物，

式(1)中，R¹和R²表示相同或不同的直链状或支链状烷基、烷氧基、氰基、硝基、F、-C(O)O(CH₂)_m-CH₃、-C(O)-(CH₂)_m-CH₃、或下述通式(2)，

式(2)中，R³表示氢原子或甲基，B表示-(CH₂)_m-、-(CH₂)_m-O-、-CO-O-(CH₂)-、-C₆H₄-CH₂-O-或-CO-，m表示1～18的整数，n表示2～3的整数。

4.根据权利要求3所述的存储元件，其中，所述导电性液晶半导体材料层含有两个成分以上的、烷基链长度不同的选自所述通式(1)所表示的苯乙烯基衍生物中的化合物。

5.一种数据记录方法，其特征在于，该数据记录方法使用权利要求1所述的存储元件，其中，

对含有所述液晶化合物的前述导电性液晶半导体材料层光斑照射穿透前述透明电极的激光，以进行加热处理。

6.根据权利要求5所述的数据记录方法，其中，对所述第1电极群的所述电极与所述第2电极群的所述透明电极的交叉地点光斑照射激光，以进行加热处理。

7.根据权利要求5所述的数据记录方法，其特征在于，对包含所述液晶化合物的所述导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，进行该液晶化合物的液晶状态的分子排列的生成，使其形成发出向该液晶化合物的分子长轴方向偏振的荧光的光斑，以对1个光斑进行光学多重记录。

8.一种经多重记录的数据的读取方法，其特征在于，其为利用权利要求7所述的存储元件的数据记录方法记录的数据的读取方法，其中，对用于发出向所述液晶化合物的分子长轴方向偏振的荧光的光斑照射激发光，并使偏振板的透射轴方向与生成的荧光偏振光的振动方向一致。

9.一种IC标签，其特征在于，使用权利要求1所述的存储元件而形成。