[发明专利]存储元件、数据记录方法以及IC标签

说明书

技术领域

本发明涉及使用导电性液晶半导体的存储元件、数据记录方法以及IC标签。

背景技术

作为替代有机硅或化合物半导体的半导体原材料，有机半导体正受到瞩目。使用以往半导体的半导体元件，在高真空下、高温下的制造工序是必不可少的，因此难以降低制造成本。对此，如果可以使用有机物作为半导体材料，则可以通过半导体涂布液的涂布或在室温区域下真空蒸镀等简单工序而形成半导体元件。

本发明人等先前提出：具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物，通过在近晶相的液晶状态下施加电压、或在从近晶相的相变中所生成的固体状态下施加电压，从而无需光激发而具有优异的电荷输送能力，因此将该液晶化合物用于例如有机电致发光材料或薄膜晶体管等有机半导体元件(例如，参照专利文献1～5。)。

专利文献1：日本特开2004-6271号公报

专利文献2：国际公开第2004/85360号小册子

专利文献3：国际公开第2004/85359号小册子

专利文献4：日本特开2004-311182号公报

专利文献5：日本特开2005-142233号公报

发明内容

本发明人等在对导电性液晶半导体的用途作进一步深入研究中发现，能够使用该导电性液晶半导体并通过半导体涂布液的涂布或在室温区域下真空蒸镀等简单工序，来提供存储元件的信息记录部分，由此完成本发明。

即，本发明的目的在于，提供一种新型存储元件，其可使用导电性液晶半导体并通过半导体涂布液的涂布或在室温区域下真空蒸镀等简单工序来制作信息记录部分，以及使用该存储元件的数据记录方法和IC标签。

本发明所提供的第1技术方案是一种存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，所述存储元件具有：第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，导电性液晶半导体材料层，其以覆盖前述第1电极群的方式形成，并含有带有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，第2电极群，其由在前述导电性液晶半导体材料层上沿着与前述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。

此外，本发明所提供的第2技术方案是前述第1技术方案的存储元件的数据记录方法，其特征在于，对含有前述液晶化合物的前述导电性液晶半导体材料层光斑照射穿透前述透明电极的激光，以进行加热处理。

此外，本发明所提供的第3技术方案是一种IC标签，其特征在于，使用前述第1技术方案的存储元件而形成。

附图说明

图1是本发明的存储元件的实施方式之一的截面结构的示意图。

图2是本发明的存储元件的实施方式之一的俯视结构的示意图。

图3是说明本发明的存储元件的实施方式之一的制造例的示意图。

图4是表示本发明的存储元件的实施方式之一中光斑照射激光的位置的示意立体图。

图5是表示本发明的存储元件的实施方式之一中光斑照射激光后的该存储元件内的状态的示意剖面图。

图6是表示本发明的存储元件的实施方式之一中光斑照射激光后的该存储元件内导电性液晶半导体材料层的[0]、[1]写入状态的示意图。

图7是本发明IC标签的实施方式之一的俯视结构的示意图。

图8是在150℃下对实施例中所制备的导电性液晶半导体材料层进行3分钟加热处理，再自然冷却至室温(25℃)所得到的固体状态制品的偏振光显微镜照片，观察到其分子取向相对于基板呈水平取向。

图9是用于评价实施例中制备的导电性液晶半导体材料层的导电性(电压与电流量的关系)所使用的元件的结构示意图。

图10是表示加热实施例中所制备的导电性液晶半导体材料层以形成近晶液晶状态后、再自然冷却制成固体状态时的电压与电流量的关系，以及未进行加热处理的该导电性液晶半导体材料层的电压与电流量的关系的图。

图11是对实施例中所制备的导电性液晶半导体材料层用激光进行光斑照射且加热处理的制品的偏振光显微镜照片，观察到其分子取向光斑性地相对于基板呈水平取向。

图12是在150℃下对实施例中所制备的导电性液晶半导体材料层进行3分钟加热处理并再自然冷却至室温(25℃)所得到的固体状态的液晶化合物的偏振光显微镜照片，观察到其发出向分子长轴方向偏振的荧光。

图13是表示本发明的存储元件的一种实施方式中，液晶分子的分子长轴方向与读取的偏振板的透射轴方向的关系图。