[发明专利]用于虚拟静态随机存取存储器单元的方法和设备有效
| 申请号： | 200780019677.8 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101454841A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 拉姆范·阮;康·阮 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在虚拟位线电路中使用的虚拟SRAM单元使用与标准SRAM单元中使用的晶体管相同的晶体管，所述标准SRAM单元包括配置为第一和第二位线输出电路的第一和第二子组晶体管。所述虚拟SRAM单元包括相同的第一和第二子组晶体管，其中所述第一晶体管被配置为具有与所述标准SRAM单元的所述第一位线输出电路大致相同的电学特征的虚拟位线输出电路。另外，对于所述虚拟SRAM单元功能而言原本不需要的所述第二晶体管被重新配置为用于所述虚拟位线输出端的电压连结电路。出于此目的而使用所述第二晶体管避免了需要添加额外晶体管以形成用于将所述虚拟位线输出电路配置为用于所述虚拟位线的负载或驱动器的电压连结电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 虚拟 静态 随机存取存储器 单元 方法 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在SRAM电路的虚拟位线上使用的虚拟SRAM单元，所述虚拟SRAM单元包含：第一晶体管，其被配置为虚拟位线输出电路且对应于功能性SRAM单元中的相似第一晶体管，所述相似第一晶体管被配置为所述功能性SRAM单元中的第一位线输出电路；以及第二晶体管，其被配置为用于所述虚拟位线输出电路的电压连结电路且对应于所述功能性SRAM单元中的相似第二晶体管，所述相似第二晶体管被配置为所述功能性SRAM单元中的第二位线输出电路的至少一部分。
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