[发明专利]半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200780018805.7 申请日: 2007-03-07
公开(公告)号: CN101449373A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 中越英雄 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L23/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 侯颖媖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供具有良好的散热性且容易制造,包括半导体元件的半导体装置。在半导体元件(12)设有被开口(15)位于第1主面(13)侧的非贯穿孔(16)规定的且非贯穿孔(16)被导电材料(17)填充形成的散热路径(18),且散热板(14)通过所述导电材料(17)与半导体元件(12)接合。较好的是使用焊锡作为导电材料(17),一面将焊锡置于半导体元件(12)和散热板(14)之间,一面将溶融的焊锡导入至非贯穿孔(16)形成散热路径(18),并且可以得到将散热板(14)与半导体元件(12)接合的状态。
搜索关键词: 半导体 装置 电子器件 模块 制造 方法
【主权项】:
1. 一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体元件;以及由沿着所述半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板,在所述半导体元件设有被非贯穿孔规定且在所述非贯穿孔填充导电材料形成的散热路径,所述非贯穿孔的开口位于所述第1主面侧,所述散热板通过所述导电材料与所述半导体元件接合。
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