[发明专利]半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置、包括半导体装置的电子器件模块及半导体装置的制造方法，特别是涉及使半导体装置所包括的半导体元件的散热性提高用的改良技术。

背景技术

在包括半导体元件的半导体装置中，半导体元件在其动作中伴有发热的时候，需要使该发热高效地散热，这在防止半导体元件的恶化或者毁坏，确保半导体元件的可靠性上颇为重要。因此，提出了各种提高半导体元件的散热性的技术。

对于本发明来说值得关注的包括散热单元的半导体装置是例如在日本专利特开2001-284503号公报(专利文献1)中所记载的半导体装置。在该专利文献1中记载了与通过导体凸点装备在布线基板的主面上的半导体元件相关，设有散热构件的结构。散热构件由平板状部和设在其中央部的凸部形成。在半导体元件与其主面大致垂直的方向设有贯穿孔，散热构件的凸部插入所述贯穿孔，且平板状部配置为沿着半导体元件的主面的延伸状态，可以作用使得半导体元件的发热被散发。

这样，专利文献1记载的技术关注的是，通过使散热构件的一部分即凸部位于伴有发热的半导体元件自身的内部，可以发挥良好的散热性。然而，所述专利文献1记载的技术中存在下述应该解决的问题。

首先，在半导体元件设有散热构件的凸部插入用的贯穿孔。该贯穿孔部分由于不能利用用于作为配置应该设置在半导体元件的电路元件的空间，所以从配置电路元件的观点来看，成为无用的空间。其结果是阻碍了半导体元件的小型化，与此相应地阻碍了包括半导体元件的半导体装置、还有包括半导体装置的电子器件模块的小型化。

另外，制造形成有凸部的散热构件比较麻烦，需要较高的成本。此时，若为了将半导体元件的上述无用空间减小而减小凸部，需要高精度的微细加工，制造成本会进一步上升。另一方面，若为了控构成本上升将凸部变大，半导体元件的上述的无用空间会变得更大。

另外，在半导体元件安装散热构件时，需要将在散热构件形成的凸部插入设在半导体元件的贯穿孔，插入时，凸部和贯穿孔的位置对准比较麻烦，会阻碍生产率的提高。特别是在散热构件形成多个凸部的时候，由于必须将这些多个凸部同时插入设在半导体元件的多个贯穿孔，更难以对准位置，导致生产率进一步下降。

专利文献1：日本专利特开2001-284503号公报

发明内容

于是，本发明的目的是提供能解决上述问题的半导体装置、包括半导体装置的电子器件模块及半导体装置的制造方法。

本发明的半导体装置包括：半导体元件；由沿着该半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板。而且为了解决上述的技术问题，其特征是在半导体元件设有被开口位于所述第1主面侧的非贯穿孔规定、且在所述非贯穿孔填充导电材料形成的散热路径，所述散热板通过所述导电材料与半导体元件接合。

较好的是所述导电材料由焊锡构成。

另外，本发明的半导体装置中，在与半导体元件的第1主面相反的第2主面上设有导体膜的时候，较好的是上述非贯穿孔的底面被该导体膜规定。

另外，本发明除了适用于包括上述的本发明的半导体装置的电子器件模块，还适用于包括形成有腔的布线基板的电子器件模块。本发明的电子器件模块的特征是，在所述腔以所述散热板朝向外面的状态收容半导体装置。

并且，本发明还适用于半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法的特征是，包括下面的工序：

即，准备设有开口位于第1主面侧的非贯穿孔的半导体元件，另外，准备为了形成散热路径而应该填充所述非贯穿孔的作为导电材料的焊锡，并且，准备由应该沿着半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板。

然后，将散热板沿着半导体元件的第1主面配置，且一面将焊锡置于半导体元件的第1主面和散热板之间，一面将溶融的焊锡导入至非贯穿孔，据此形成使非贯穿孔被焊锡填充的散热路径，且实施通过焊锡使散热板与半导体元件为接合状态的工序。

本发明的半导体装置的制造方法中，如上所述，较好的是在将所述溶融的焊锡导入非贯穿孔的导入工序之前，还包括在所述非贯穿孔的内表面及所述第1主面上形成金属膜的工序。

若采用本发明，由于规定散热路径的孔是非贯穿的，即使使用例如溶融焊锡、导电性糊料或者导电性粘结剂等有流动性的物质作为填充于此的导电材料，导电材料也不会向外流出，会留在孔内。所以，可以没有问题地使用上述的溶融焊锡等有流动性的导电材料。