[发明专利]半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200780018805.7 申请日: 2007-03-07
公开(公告)号: CN101449373A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 中越英雄 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L23/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 侯颖媖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 电子器件 模块 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

半导体元件;以及

由沿着所述半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板,

在所述半导体元件设有被非贯穿孔规定且在所述非贯穿孔填充导电材料形成的散热路径,所述非贯穿孔的开口位于所述第1主面侧,

所述散热板通过所述导电材料与所述半导体元件接合,

所述半导体装置还包括设在与所述半导体元件的所述第1主面相反的第2主面上的导体膜,

所述非贯穿孔的底面被所述导体膜规定。

2.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:

准备设有开口位于第1主面侧的非贯穿孔的半导体元件的工序;

准备为了形成散热路径而应该填充所述非贯穿孔的作为导电材料的焊锡的工序;

准备由应该沿着所述半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板的工序;以及

将所述散热板沿着所述半导体元件的所述第1主面配置,且一面将所述焊锡置于所述半导体元件的所述第1主面和所述散热板之间,一面将溶融的所述焊锡向所述非贯穿孔导入,据此形成使所述非贯穿孔被所述焊锡填充的所述散热路径,且通过所述焊锡使所述散热板与所述半导体元件为接合状态的工序,

在将所述溶融的焊锡导入非贯穿孔的导入工序之前,还包括在所述非贯穿孔的内表面及所述第1主面上形成金属膜的工序。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780018805.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top