[发明专利]半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 200780018805.7 | 申请日: | 2007-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN101449373A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
| 发明(设计)人: | 中越英雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H01L23/12 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 电子器件 模块 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
半导体元件;以及
由沿着所述半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板,
在所述半导体元件设有被非贯穿孔规定且在所述非贯穿孔填充导电材料形成的散热路径,所述非贯穿孔的开口位于所述第1主面侧,
所述散热板通过所述导电材料与所述半导体元件接合,
所述半导体装置还包括设在与所述半导体元件的所述第1主面相反的第2主面上的导体膜,
所述非贯穿孔的底面被所述导体膜规定。
2.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备设有开口位于第1主面侧的非贯穿孔的半导体元件的工序;
准备为了形成散热路径而应该填充所述非贯穿孔的作为导电材料的焊锡的工序;
准备由应该沿着所述半导体元件的第1主面配置的金属构成的散热板的工序;以及
将所述散热板沿着所述半导体元件的所述第1主面配置,且一面将所述焊锡置于所述半导体元件的所述第1主面和所述散热板之间,一面将溶融的所述焊锡向所述非贯穿孔导入,据此形成使所述非贯穿孔被所述焊锡填充的所述散热路径,且通过所述焊锡使所述散热板与所述半导体元件为接合状态的工序,
在将所述溶融的焊锡导入非贯穿孔的导入工序之前,还包括在所述非贯穿孔的内表面及所述第1主面上形成金属膜的工序。
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