[发明专利]半导体结构图案形成

摘要

根据通过氧化可氧化材料的层(111)的侧壁所形成的图案在半导体层中形成例如鳍片的结构。在一个实施例中，源/漏极图案结构和鳍片图案结构在可氧化层上被图案化。然后由在沟道图案结构的侧壁上和源/漏极图案结构的顶表面上生长氧化物的氧化工艺来掩蔽该鳍片图案结构。接下来去除沟道图案结构的剩余的可氧化材料留下在氧化层的两个部分(1003，1001)之间的孔。在一个实施例中，这两个部分(2003，2005)用作图案化该半导体层以形成两个鳍片的掩模。该图案化还留下连接到鳍片的源/漏极结构。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有半导体层的衬底；以及形成用于在所述半导体层中形成半导体结构的图案；所述的用于形成图案的方法包括：在所述半导体层上提供可氧化层；氧化所述可氧化层的侧壁以形成氧化物掩模；以及在所述氧化之后，去除所述可氧化层的材料而留下所述氧化物掩模作为用于形成半导体结构的图案。