[发明专利]半导体结构图案形成

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有半导体层的衬底；以及

形成用于在所述半导体层中形成半导体结构的图案；

所述的用于形成图案的方法包括：

在所述半导体层上提供可氧化层；

氧化所述可氧化层的侧壁以形成氧化物掩模；以及

在所述氧化之后，去除所述可氧化层的材料而留下所述氧化物掩 模作为用于形成半导体结构的图案。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述可氧化层之前在所述半导体层上形成掩模层；以及

图案化所述掩模层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中用于所述氧化步骤中的所述 可氧化层包括非晶硅，用于所述氧化步骤中的所述掩模层包括氮化硅。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括在形成所述掩模层之前在 所述半导体层上形成氧化物层。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述的形成图案还包括在形 成所述掩模层之前在所述可氧化层上形成氧化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述的形成图案还包括：

在所述可氧化层上形成掩模；以及

根据所述掩模来图案化所述可氧化层以形成所述可氧化层的第一 源/漏极图案部分、第二源/漏极图案部分和沟道图案部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述的形成图案还包括：在 所述氧化之前，去除所述第一和第二源/漏图案部分上的所述掩模，而 留下所述沟道图案部分上的所述掩模的一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述的氧化之后去除在所述沟道图案部分上的所述掩模的一部 分；以及

其中所述的去除所述可氧化层的材料包括去除在所述沟道图案部 分上的所述掩模的一部分的位置处的所述沟道图案部分中的可氧化 层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述的形成图案还包括：

在形成所述可氧化层之前在所述半导体层上形成掩模层；以及

通过去除在所述沟道图案部分上的所述掩模的一部分的位置处的 所述沟道图案部分中的可氧化层而使去除的所述沟道图案部分中的所 述可氧化层的位置处的所述掩模层去除。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述的形成图案还包括在 所述的氧化侧壁之前图案化所述可氧化层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述的氧化侧壁的步骤形 成氧化物使得其相对于所述可氧化层是可选择性蚀刻的。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

图案化所述可氧化层，其中所述的图案化形成第一侧壁和第二侧 壁，其中所述第一侧壁是与所述第二侧壁相对的侧壁；

其中所述的氧化所述可氧化层的侧壁以形成氧化物掩模包括氧化 所述第一侧壁以形成第一氧化物掩模以及氧化所述第二侧壁以形成第 二氧化物掩模；

其中所述的去除所述可氧化层的材料而留下作为所述图案的氧化 物掩模还包括去除在所述第一氧化物掩模和所述第二氧化物掩模之间 的所述可氧化物层的材料。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

图案化所述半导体层以在所述第一氧化物掩模的位置处形成第一 结构以及在所述第二氧化物掩模的位置处形成第二结构，其中所述的 图案化去除在所述第一氧化物掩模和所述第二氧化物掩模之间的所述 可氧化层的材料的位置处的所述半导体层的材料。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用所述图案以在所述半导体层中形成鳍片。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体结构中形成沟道区域。