[发明专利]微细金属凸点的形成方法无效
| 申请号: | 200780011773.8 | 申请日: | 2007-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN101416294A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
| 发明(设计)人: | 五味善宏;青柳昌宏;仲川博;菊地克弥;冈田义邦;大里启孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社美高仁工业;独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C23C14/04;C23C14/14 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 冯 雅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 提供能够使用气相沉积法,稳定地工业化地在形成于基板的一面侧的金属部件的规定位置形成微细的金属凸点的微细金属凸点的形成方法。该方法的特征在于,在被覆形成有布线图形(12)的基板(10)的一面侧的掩模层(30)形成直形凹部(34),该凹部在底面露出布线图形(12)的规定位置,并且内壁面垂直于基板(10)的一面侧且出口角部有棱角,然后在基板(10)的另一面侧设置面积大于基板(10)的金属板作为散热片,接着将基板(10)和金属板放置在真空气氛中,通过气相沉积法在露出于直形凹部(34)的底面的布线图形(12)的露出面上形成尖细状的金属凸点(14),同时利用作为散热片的金属板将基板冷却在低于形成掩模层(30)的树脂的耐热温度,保持直形凹部(34)的形状,上述气相沉积法是由喷嘴喷射使金属蒸发而得的金属微粒和载气、堆积在规定位置的方法,然后,从基板的一面侧剥离掩模层(30),在布线图形(12)的规定位置形成尖细状的金属凸点(14)。 | ||
| 搜索关键词: | 微细 金属 形成 方法 | ||
【主权项】:
1. 微细金属凸点的形成方法,其特征在于,在被覆形成有金属部件的基板的一面侧的由树脂构成的掩模层形成直形凹部,该凹部在底面露出所述金属部件的规定位置,并且内壁面垂直于所述基板的一面侧且出口角部有棱角,然后在所述基板的另一面侧设置冷却手段,接着将所述基板和冷却手段放置在真空气氛中,通过气相沉积法在露出于所述直形凹部的底面的金属部件的露出面上形成横截面从底面部向前端部逐渐变小的尖细状的金属凸点,同时用所述冷却手段将基板冷却在低于形成掩模的树脂的耐热温度,保持所述直形凹部的形状,所述气相沉积法是由喷嘴喷射使金属蒸发而得的金属微粒和载气、堆积在规定位置的方法,然后,从基板的一面侧剥离所述掩模层,在所述金属部件的规定位置形成尖细状的金属凸点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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