[发明专利]具有混合沟道取向的CMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780004920.9 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101379609A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;T·W·戴尔;J·J·图米;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体衬底(12)，包括至少第一和第二器件区域，其中所述第一器件区域包括第一凹槽，所述第一凹槽具有沿着第一组等效晶面取向的内表面(25)，且其中所述第二器件区域包括第二凹槽，所述第二凹槽具有沿着不同的第二组等效晶面取向的内表面(35)。可以使用这种半导体衬底形成半导体器件结构。具体地，可以在所述第一器件区域形成至少一个n沟道场效应晶体管(n－FET)，所述n－FET包括沿着所述第一凹槽的内表面延伸的沟道。可以在所述第二器件区域形成至少一个p沟道场效应晶体管(p－FET)，所述p－FET包括沿着所述第二凹槽的内表面延伸的沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 沟道 取向 cmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括:半导体衬底，包括至少第一和第二器件区域，其中所述第一器件区域包括第一凹槽，所述第一凹槽具有沿着第一组等效晶面取向的内表面，且其中所述第二器件区域包括第二凹槽，所述第二凹槽具有沿着不同的第二组等效晶面取向的内表面；位于所述第一器件区域的至少一个n沟道场效应晶体管(n-FET)，所述n-FET包括沿着所述第一凹槽的内表面延伸的沟道；以及位于所述第二器件区域的至少一个p沟道场效应晶体管(p-FET)，所述p-FET包括沿着所述第二凹槽的内表面延伸的沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
