[发明专利]用于提供具有经P及N掺杂的栅极的集成电路的方法及设备

摘要

本发明揭示一种提供具有多个栅极堆栈结构的集成电路的方法及设备，所述栅极堆栈结构具有不同厚度及氮浓度的栅极氧化物层及不同导电率类型及活性掺杂剂浓度的栅电极。

主权项

1、一种在集成电路中形成多个栅极结构的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一氧化物层以用于将位于所述衬底的第一区域上方的第一多个栅极结构；进行第一氮化工艺以针对所述第一氧化物层的至少一部分形成第一氮化氧化物层；移除位于所述衬底的将要形成第二多个栅极结构的至少一第二区域上方的所述第一氧化物层及第一氮化氧化物层的部分；在所述衬底上的至少所述第二区域中形成第二氧化物层；在所述第一区域中的所述第一及第二区域中的所述第一氮化氧化物层及所述第二氧化物层上方形成导电层；图案化所述第一氧化物层、所述第一氮化氧化物层及所述导电层以形成用于第一多个装置的第一多个栅极堆栈；及在所述第二区域中，图案化所述第二氧化物层及所述导电层以形成用于第二多个装置的第二多个栅极堆栈。