[发明专利]用于提供具有经P及N掺杂的栅极的集成电路的方法及设备

权利要求书

1、一种在集成电路中形成多个栅极结构的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一氧化物层以用于将位于所述衬底的第一区域上方的第一多个栅极结构；

进行第一氮化工艺以针对所述第一氧化物层的至少一部分形成第一氮化氧化物层；

移除位于所述衬底的将要形成第二多个栅极结构的至少一第二区域上方的所述第一氧化物层及第一氮化氧化物层的部分；

在所述衬底上的至少所述第二区域中形成第二氧化物层；

在所述第一区域中的所述第一及第二区域中的所述第一氮化氧化物层及所述第二氧化物层上方形成导电层；

图案化所述第一氧化物层、所述第一氮化氧化物层及所述导电层以形成用于第一多个装置的第一多个栅极堆栈；及

在所述第二区域中，图案化所述第二氧化物层及所述导电层以形成用于第二多个装置的第二多个栅极堆栈。

2、如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一及第二区域中，将所述导电层的一部分掺杂为第一导电率类型。

3、如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在至少所述第一区域中，将所述导电层的一部分掺杂为第二导电率类型。

4、如权利要求1所述的方法，其进一步包括如下动作：在所述第一及第二区域中的至少一者中，在所述导电层的一部分中保持实质上不具有活性掺杂剂浓度。

5、如权利要求1所述的方法，其进一步包括如下动作：进行第二氮化工艺，以在所述第二氧化物层的至少一部分中包含氮。

6、如权利要求5所述的方法，其中形成具有比所述氮化氧化物层的氮浓度小的氮浓度的所述第二氧化物层。

7、如权利要求1所述的方法，其中形成实质上不具有氮浓度的所述第二氧化物层。

8、如权利要求1所述的方法，其中形成具有介于约与约之间的厚度的所述第一栅极氧化物层。

9、如权利要求1所述的方法，其中形成具有介于约与约之间的厚度的所述第二氧化物层。

10、如权利要求1所述的方法，其中所述第一多个装置包括图像传感器阵列的外围电路。

11、如权利要求1所述的方法，其中所述第一多个装置包括数字与模拟电路。

12、如权利要求1所述的方法，其中所述第二多个装置包括像素阵列。

13、如权利要求1所述的方法，其中形成包括多晶硅的所述导电层。

14、如权利要求1所述的方法，其中在所述第一区域中，所述装置包括PMOS及NMOS装置。

15、如权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二多个装置包括晶体管。

16、一种形成图像传感器的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一氧化物层；

进行氮化工艺以从所述第一氧化物层的至少一部分形成第一氮化氧化物层；

移除位于所述衬底的第一区域上方的所述第一氮化氧化物层及第一氧化物层的部分；

在所述衬底上的至少所述第一区域中形成第二氧化物层；

在所述第一氧化物层、第一氮化氧化物层及所述第二氧化物层上方形成导电层；

将所述导电层的一部分掺杂为第一导电率类型；

将所述导电层的一部分掺杂为第二导电率类型；

图案化所述第一氧化物层、第一氮化氧化物层及所述导电层，以形成用于第一多个装置的第一多个栅极堆栈；及

图案化所述第二氧化物层及所述导电层，以形成用于第二多个装置的第二多个栅极堆栈。

17、如权利要求16所述的方法，其中形成具有介于约与约之间的厚度的所述第一氧化物层。

18、如权利要求16所述的方法，其中形成具有介于约与约之间的厚度的所述第二氧化物层。

19、如权利要求16所述的方法，其中将所述导电层的一部分掺杂为第二导电率类型会将所述部分掺杂为具有小于或等于约1×10²⁰个原子/cm³的活性掺杂剂浓度。