[发明专利]高频用半导体装置无效

专利信息
申请号: 200780001542.9 申请日: 2007-02-01
公开(公告)号: CN101361221A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 高木一考 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01P5/08 分类号: H01P5/08;H01L23/02;H01P3/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种不降低截止频率而且散热的问题也很少的高频用半导体装置。本发明一例的高频用半导体装置其特征为,具备2个单元半导体装置,该单元半导体装置具备:接地基板,具有散热功能;高频用半导体元件,设置于该接地基板上;输入方匹配电路,连接于上述高频用半导体元件;输出方匹配电路,连接于上述高频用半导体元件;侧壁部,至少包围上述高频用半导体元件、上述输入方匹配电路及上述输出方匹配电路;输入用端子,连接于上述输入方匹配电路;以及输出用端子,连接于上述输出方匹配电路;上述2个单元半导体装置的上述侧壁部的上端被相互对齐。
搜索关键词: 高频 半导体 装置
【主权项】:
1、一种高频用半导体装置,其特征为:具备2个单元半导体装置,该单元半导体装置具备:接地基板,具有散热功能;高频用半导体元件,设置于该接地基板上;输入方匹配电路,连接于上述高频用半导体元件;输出方匹配电路,连接于上述高频用半导体元件;侧壁部,至少包围上述高频用半导体元件、上述输入方匹配电路及上述输出方匹配电路;输入用端子,连接于上述输入方匹配电路;以及输出用端子,连接于上述输出方匹配电路;上述2个单元半导体装置的上述侧壁部的上端被相互对齐。
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