[发明专利]高频用半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在具有空间的管壳内收容半导体元件的高频用半导体装置。

背景技术

近来有一种趋势，即微波通信等的大功率化要求增高，并且收容于管壳内的微波半导体元件的芯片大小及芯片合成数增大的趋势。从而，管壳的尺寸增大，由管壳与微波传播方向正交的方向(横向)的长度决定的截止频率下降到使用频率附近。由于该截止频率的下降，因而产生由在内部激励的波导管传播模式及波导管谐振模式导致的从输出方对输入方的绝缘劣化和频率特性劣化。

为了防止这种特性的劣化，如图1所示，利用接地导体隔开管壳内的空间，防止截止频率的下降等特性劣化的半导体装置已为众所周知(参见专利文献1)。该以往半导体装置中的尺寸假设容器的纵向长度为a1、横向长度为b1、高度为c1(未图示)。也就是说，该以往的半导体装置其结构为，将单元半导体元件横向排列多个。

就这样横向排列多个作为单元的半导体元件的结构而言，由于半导体装置的大功率化，因而散热成为问题。也就是说，因为在有限的封装宽度内排列很多半导体元件，所以相互接近，对出自背面的热辐射存在限度。

另外，由于在配设于封装内部的隔板和盖子之间易于产生空隙，招致特性劣化，因而成为生产率下降的一个原因。

专利文献1：日本专利公开特开平5-83010号公报(图1)

发明内容

本发明是鉴于上述那种以往的高频用半导体装置问题所在而做出的，其目的为提供一种不降低截止频率而且散热的问题也很少的高频用半导体装置。

根据本发明的技术方案1，提供一种高频用半导体装置，其特征为，具备2个单元半导体装置，该单元半导体装置具备：接地基板，具有散热功能；高频用半导体元件，设置于该接地基板上；输入方匹配电路，连接于上述高频用半导体元件；输出方匹配电路，连接于上述高频用半导体元件；侧壁部，至少包围上述高频用半导体元件、上述输入方匹配电路及上述输出方匹配电路；输入用端子，连接于上述输入方匹配电路；以及输出用端子，连接于上述输出方匹配电路；上述2个单元半导体装置的上述侧壁部的上端被相互对齐。

根据本发明的技术方案5，提供一种高频用半导体装置，其特征为，具备2个单元半导体装置，该单元半导体装置具备：接地基板，具有散热功能；高频用半导体元件，设置于该接地基板上；输入方匹配电路，连接于上述高频用半导体元件；输出方匹配电路，连接于上述高频用半导体元件；侧壁部，至少包围上述高频用半导体元件、上述输入方匹配电路及上述输出方匹配电路；输入用端子，连接于上述输入方匹配电路；以及输出用端子，连接于上述输出方匹配电路；上述2个单元半导体装置的上述侧壁部的上端经由导体板被相互对齐。

发明效果

根据本发明，获得一种不降低截止频率而且散热的问题也很少的高频用半导体装置。

附图说明

图1是表示以往半导体装置结构的上面图。

图2是表示本发明第1实施方式中的单元半导体装置结构的上面图。

图3是表示在本发明的第1实施方式中对齐2个单元半导体装置的状态的正面图。

图4是表示在本发明的第1实施方式中对齐2个单元半导体装置后的状态的正面图。

图5是表示在本发明的第1实施方式中对齐2个单元半导体装置后的状态的侧面图。

图6是表示将图5所示对齐2个单元半导体装置后的器件竖立起来的状态的附图。

图7是本发明第2实施方式中的半导体装置侧面图。

图8是本发明第2实施方式中的半导体装置上面图。

图9是本发明第3实施方式中的半导体装置侧面图。

图10是表示在本发明的第4实施方式中对齐2个单元半导体装置的状态的正面图。

图11是表示在本发明的第4实施方式中对齐2个单元半导体装置后的状态的正面图。

图12是表示在本发明的第4实施方式中对齐2个单元半导体装置后的状态的侧面图。

图13是表示将图12所示对齐2个单元半导体装置后的器件竖立起来的状态的附图。

图14是本发明第5实施方式中的半导体装置侧面图。

图15是本发明第5实施方式中的半导体装置上面图。

图16是本发明第6实施方式中的半导体装置侧面图。

具体实施方式

下面，对于本发明的实施方式，使用附图进行说明。在本发明中，通过在上方对齐(合わせる)2个作为单元的单元半导体装置，来构成高频半导体装置。

<第1实施方式>