[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200780000689.6 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101331610A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 上田尚宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/822;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王冉;王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种公开的半导体装置包括驱动器晶体管，该驱动器晶体管包括：在第一导电型的半导体衬底中的第二导电型的源极和漏极，其间有间距；栅电极，在预定方向上延伸并经由源极和漏极之间的栅极绝缘膜设置在半导体衬底上；多个孤立的第一导电型的背栅极扩散层，设置在源极中以使得与半导体衬底接触，其中背栅极扩散层被分开并在预定方向上排列在源极中；和接触孔，在源极及至少一个背栅极扩散层上在预定方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：驱动器晶体管，包括：在第一导电型的半导体衬底中的第二导电型的源极和漏极，在其间有间距，栅电极，在预定方向上延伸并经由所述源极和所述漏极之间的栅极绝缘膜设置在所述半导体衬底上，第一导电型的多个孤立背栅极扩散层，设置在所述源极中从而与所述半导体衬底接触，其中所述背栅极扩散层被分开并在预定方向上排列在所述源极中，和接触孔，在所述源极和至少一个所述背栅极扩散层上在预定方向上延伸。
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