[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

驱动器晶体管，包括：

在第一导电型的半导体衬底中的第二导电型的源极和漏极，在其间有间距，

栅电极，在预定方向上延伸并经由所述源极和所述漏极之间的栅极绝缘膜设置在所述半导体衬底上，

第一导电型的多个孤立背栅极扩散层，设置在所述源极中从而与所述半导体衬底接触，其中所述背栅极扩散层被分开并在预定方向上排列在所述源极中，和

接触孔，在所述源极和至少一个所述背栅极扩散层上在预定方向上延伸。

2.根据权利要求1的半导体装置，其中所述接触孔为沟槽型和在所述源极上并横过所述背栅极扩散层延伸。

3.根据权利要求1的半导体装置，其中每个所述背栅极扩散层的俯视图形状实质上为矩形，且

每个所述背栅极扩散层的长度方向与所述源极的长度方向正交。

4.根据权利要求3的半导体装置，其中每个所述背栅极扩散层的长度方向尺寸等于所述源极的宽度方向尺寸。

5.一种半导体装置，包括：

恒定电压产生电路，包括：

输出驱动器，配置为控制输入电压的输出，

分压电阻器，配置为分压输出电压并输出所分得的输出电压，

参考电压产生电路，配置为输出参考电压，

比较器，配置为比较由所述分压电阻器接收的所述分得得输出电压和由所述参考电压产生电路接收的所述参考电压并根据比较结果控制所述输出驱动器；其中

所述输出驱动器为根据权利要求1的半导体装置中的驱动器晶体管。