[实用新型]提高太阳能电池产能制程装置无效
| 申请号: | 200720169297.X | 申请日: | 2007-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN201069777Y | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
| 发明(设计)人: | 曾子峻;林煌琦 | 申请(专利权)人: | 仕贯真空科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本实用新型一种提高太阳能电池产能制程装置,其包含:一真空加热腔体,该真空加热腔体设有加热器、分子涡流帮浦及干式帮浦;一真空等离子辅助化学气相沉积(PECVD)制程腔体,该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、分子涡流帮浦及干式帮浦;一真空冷却腔体,该真空冷却腔体设有冷却装置、分子涡流帮浦及干式帮浦;提供本实用新型的不同腔体作不同加工,可同时对多数组待加工物进行不同加工处理,进而提升产能、缩短加工时间、减少成本,进而达到一种提高太阳能电池产能制程装置的目的。 | ||
| 搜索关键词: | 提高 太阳能电池 产能 装置 | ||
【主权项】:
1.一种提高太阳能电池产能制程装置,其特征在于包含:一真空加热腔体,该真空加热腔体设有加热器、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦,又该真空加热腔体入口处设有可开闭的第一真空封合闸门,而该真空加热腔体出口处设有可开闭的第二真空封合闸门;一真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体,该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦,又该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体与真空加热腔体间设有可开闭的第二真空封合闸门,而该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体出口处设有可开闭的第三真空封合闸门;一真空冷却腔体,该真空冷却腔体设有冷却装置、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦,且该真空冷却腔体与真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体间设有可开闭的第三真空封合闸门,而该真空冷却腔体出口处亦设有可开闭的第四真空封合闸门。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





