[实用新型]提高太阳能电池产能制程装置无效
| 申请号: | 200720169297.X | 申请日: | 2007-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN201069777Y | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
| 发明(设计)人: | 曾子峻;林煌琦 | 申请(专利权)人: | 仕贯真空科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 提高 太阳能电池 产能 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种提高太阳能电池产能制程装置,尤指一种设有多数个不同功效的真空腔体,同时对多数组待加工物进行不同加工处理,进而提升产能、缩短加工时间、减少成本,进而达到一种提高太阳能电池产能制程装置的目的。
背景技术
随着光电与半导体等产业的发展,在基板上进行等离子处理以成长薄膜的制程方式已逐渐获得广泛的应用,因此,以等离子辅助化学气相沉积法(PECVD),在大面积基板上进行薄膜成长,已是光电与半导体工业中的重要技术之一,而PECVD制程乃是通过等离子辅助,利用化学反应方式,将通入的气体反应成固体,而沉积在被镀物(玻璃)上,但要做得好,则需要特别注意以下几点:反应器设计、气流分布、真空度、加热温度、均匀性及等离子密度控制……等;
请参阅图1所示,是现今市面上常见的批次式PECVD加工装置,其包含:一真空腔体1,该真空腔体1入口处设有闸门11,且该真空腔体1设有加热器12、高压电极13及气体供应装置14;多数个分子涡流帮浦15,该分子涡流帮浦15与真空腔体1相接;多数个干式帮浦16,该干式帮浦16与真空腔体1相接;一电极承盘17,该电极承盘17内可供待镀物放置;
但,上述现有的“批次式PECVD加工装置”其虽可通过分子涡流帮浦15与干式帮浦16,对真空腔体1进行抽气而达真空状态,再由加热器12加热,另由气体供应装置14提供制程时所需的气体,再由高压电极13提供解离该气体所需的电场,达成PECVD制程;
然,该“批次式PECVD加工装置”同一时间仅能对一电极承盘17内所放置的待镀物进行PECVD加工处理,且整各PECVD加工处里时间通常为4~6.5个小时,故在这段时间里此台“批次式PECVD加工装置”,不能再对其它待镀物进行加工,因此,使用者如需再有更大的产能,则需另行购置一台相同的“批次式PECVD加工装置”以供其它待镀物加工使用,如因而往往造成制程成本的提升、产能不佳,且每次处理完一批待镀物后,要进行下一批的处里时,该“批次式PECVD加工装置”则需再次进行完整的抽气动作以维持在真空状态,也因而更加长制程时间;
因此,如何将上述等缺失加以摒除,并提供一种可连续式的对待加工物进行加工,即是指同时对多数组待加工物进行不同加工处理,进而提升产能、缩短加工时间、减少成本,进而达到一种提高太阳能电池产能制程装置的目的,即为本案创作人所欲解决的技术困难点的所在。
实用新型内容
本实用新型的主要目的即在提供一种提高太阳能电池产能制程装置,其包含:
一真空加热腔体,该真空加热腔体设有加热器、分子涡流帮浦及干式帮浦,又该真空加热腔体入口处设有可开闭的第一真空封合闸门;
一真空等离子辅助化学气相沉积(PECVD)制程腔体,该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、分子涡流帮浦及干式帮浦,又该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体与真空加热腔体间设有可开闭的第二真空封合闸门;
一真空冷却腔体,该真空冷却腔体设有冷却装置、分子涡流帮浦及干式帮浦,且该真空冷却腔体与真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体间设有可开闭的第三真空封合闸门,又该真空冷却腔体出口处亦设有可开闭的第四真空封合闸门;
本实用新型的有益效果是,通过本实用新型的不同腔体作不同加工,可同时对多数组待加工物进行不同加工处理,进而提升产能、缩短加工时间、减少成本,进而达到一种提高太阳能电池产能制程装置的目的。
附图说明
图1是为一般现有的批次式PECVD加工装置;
图2是为本实用新型结构示意图;
图3是为本实用新型启动时动作示意图;
图4是为本实用新型第一步动作示意图;
图5是为本实用新型第二步动作示意图;
图6是为本实用新型第三步动作示意图;
图7是为本实用新型第四步动作示意图;
图8是为本实用新型第五步动作示意图;
图9是为本实用新型第六步动作示意图。
【主要组件符号说明】
1…真空腔体 11…闸门
12…加热器 13…高压电极
14…气体供应装置 15…分子涡流帮浦
16…干式帮浦 17…电极承盘
2…真空加热腔体 21…加热器
22…分子涡流帮浦 23…干式帮浦
3…真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体
31…气体供应装置 32…高频电极
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





