[实用新型]以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构无效

专利信息
申请号: 200720125335.1 申请日: 2007-08-02
公开(公告)号: CN201112386Y 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 汪秉龙;庄峰辉;陈家宏 申请(专利权)人: 宏齐科技股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L23/498;H01L23/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构,其包括:陶瓷基板、导电单元、中空陶瓷壳体、复数个发光二极管芯片及封装胶体。该陶瓷基板具有一本体、复数个凸块、复数个贯穿所述凸块的贯穿孔及复数个分别形成于该本体侧面及每两个凸块之间的半穿孔;该导电单元具有复数个分别成形于所述凸块表面的第一导电层、复数个分别成形于所述半穿孔的内表面及该本体的底面的第二导电层及复数个分别填充满所述贯穿孔的第三导电层;该中空陶瓷壳体固定于该本体的顶面上以形成一容置空间;所述发光二极管芯片分别设置于该容置空间内;该封装胶体填充于该容置空间内。
搜索关键词: 陶瓷 穿孔 发光二极管 芯片 封装 结构
【主权项】:
1. 一种以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构,其特征在于,包括:一陶瓷基板,其具有一本体、复数个彼此分开且分别从该本体的顶面延伸出的凸块、复数个分别贯穿所述相对应凸块的贯穿孔、及复数个分别形成于该本体侧面及每两个凸块之间的半穿孔;一导电单元,其具有复数个分别成形于所述凸块表面的第一导电层、复数个分别成形于所述半穿孔的内表面及该本体的底面的第二导电层、及复数个分别填充满所述贯穿孔的第三导电层,其中该第三导电层电性连接于该第一导电层与该第二导电层之间;一中空陶瓷壳体,其固定于该陶瓷基板的本体的顶面上以形成一容置空间,并且该容置空间曝露出所述第一导电层的顶面;复数个发光二极管芯片,其分别设置于该容置空间内,并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电性连接于不同的第一导电层;以及一封装胶体,其填充于该容置空间内,以覆盖所述发光二极管芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宏齐科技股份有限公司,未经宏齐科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200720125335.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top