[实用新型]以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型有关于一种发光二极管芯片封装结构，尤指一种以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构。

背景技术

请参阅图1所示，为习知直立式发光二极管芯片封装结构的剖面示意图。由图中可知，习知的直立式发光二极管芯片封装结构包括：一绝缘基底1a、一导电架2a、一发光二极管芯片3a及一荧光胶体4a。

其中，该导电架2a具有二个分别延该绝缘基底1a的两相反侧边弯折二次的导电接脚20a、21a，以使得所述导电接脚20a、21a的下端面可与一电路板5a产生电性接触，并且该导电接脚20a、21a分别具有一正电极区域200a及一负电极区域210a。

再者，该发光二极管芯片3a具有一正电极端300a及一负电极端310a，并且该发光二极管芯片3a直接设置在该导电接脚20a上，以使得该正电极端300a直接与该导电接脚20a的正电极区域200a产生电性接触，而该发光二极管芯片3a的负电极端310a透过一导线6a与该导电接脚21a的负电极区域210a产生电性连接。

最后，该荧光胶体4a覆盖在该发光二极管芯片3a上，以保护该发光二极管芯片3a。藉此，习知的直立式发光二极管芯片封装结构可产生向上投光(如箭头所示)的发光效果。

请参阅图2及图3所示，其分别为习知侧式发光二极管芯片封装结构的立体示意图及图2的3-3剖面图。由图中可知，习知的侧式发光二极管芯片封装结构包括：一绝缘基底1b、一导电架2b、一发光二极管芯片3b及一荧光胶体4b。

其中，该导电架2b具有二个分别沿该绝缘基底1b的一侧边弯折二次的导电接脚20b、21b，以使得所述导电接脚20b、21b的侧端面可与一电路板5b产生电性接触，并且该导电接脚20b、21b分别具有一正电极区域200b及一负电极区域210b。

再者，该发光二极管芯片3b具有一正电极端300b及一负电极端310b，并且该发光二极管芯片3b直接设置在该导电接脚20b上，以使得该正电极端300b直接与该导电接脚20b的正电极区域200b产生电性接触，而该发光二极管芯片3b的负电极端310b透过一导线6b与该导电接脚21b的负电极区域210b产生电性连接。

最后，该荧光胶体4b覆盖在该发光二极管芯片3b上，以保护该发光二极管芯片3b。藉此，习知的侧式发光二极管芯片封装结构可产生侧向投光(如图3的箭头所示)的发光效果。

然而，上述直立式及侧式发光二极管芯片封装结构的所述导电接脚20a、21a、20b、21b必须经过弯折才能与电路板5a、5b产生接触，因此增加制程的复杂度。

所以，由上可知，目前习知的发光二极管封装结构，显然具有不便与缺失存在，而待加以改善。

因此，本创作人有感上述缺失的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本实用新型。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题，在于提供一种以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其优点在于：可藉由任何成形的方式，将导电层成形于陶瓷基板上，然后再透过陶瓷共烧技术(Low-TemperatureCofired Ceramics，LTCC)，将中空陶瓷壳体固定于该陶瓷基板上，因此本实用新型不像习知一样需要使用导电架并且还要经过弯折才能与电路板产生电性连接。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其包括：一陶瓷基板、一导电单元、一中空陶瓷壳体、复数个发光二极管芯片、及一封装胶体。其中，该陶瓷基板具有一本体、复数个彼此分开且分别从该本体的顶面延伸出的凸块、复数个分别贯穿所述相对应凸块的贯穿孔、及复数个分别形成于该本体侧面及每两个凸块之间的半穿孔。

该导电单元具有复数个分别成形于所述凸块表面的第一导电层、复数个分别成形于所述半穿孔的内表面及该本体的底面的第二导电层、及复数个分别填充满所述贯穿孔的第三导电层，其中该第三导电层电性连接于该第一导电层与该第二导电层之间。

该中空陶瓷壳体固定于该陶瓷基板的本体的顶面上以形成一容置空间，并且该容置空间曝露出所述第一导电层的顶面。所述发光二极管芯片分别设置于该容置空间内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电性连接于不同的第一导电层。该封装胶体填充于该容置空间内，以覆盖所述发光二极管芯片。