[实用新型]以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构

权利要求书

1. 一种以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于，包括：

一陶瓷基板，其具有一本体、复数个彼此分开且分别从该本体的顶面延伸出的凸块、复数个分别贯穿所述相对应凸块的贯穿孔、及复数个分别形成于该本体侧面及每两个凸块之间的半穿孔；

一导电单元，其具有复数个分别成形于所述凸块表面的第一导电层、复数个分别成形于所述半穿孔的内表面及该本体的底面的第二导电层、及复数个分别填充满所述贯穿孔的第三导电层，其中该第三导电层电性连接于该第一导电层与该第二导电层之间；

一中空陶瓷壳体，其固定于该陶瓷基板的本体的顶面上以形成一容置空间，并且该容置空间曝露出所述第一导电层的顶面；

复数个发光二极管芯片，其分别设置于该容置空间内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电性连接于不同的第一导电层；以及

一封装胶体，其填充于该容置空间内，以覆盖所述发光二极管芯片。

2. 如权利要求1所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：每一个贯穿孔是由每一个相对应的第一导电层倾斜至每一个相对应的第二导电层。

3. 如权利要求1所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该本体与该中空陶瓷壳体为两个相互配合的长方体。

4. 如权利要求1所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该第一导电层、该第二导电层、及该第三导电层皆为银膏层。

5. 如权利要求1所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该容置空间朝向上方，以使得该本体底面的第二导电层接触于一电路板。

6. 如权利要求1所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：所述第一导电层分成复数个正极导电部及负极导电部。

7. 如权利要求6所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片的正、负电极端分别设置于每一个发光二极管芯片的上表面；藉此，透过打线的方式，以使得每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别透过两导线而电性连接于相邻的正极导电部及负极导电部。

8. 如权利要求6所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片的正、负电极端分别设置于每一个发光二极管芯片的下表面与上表面；藉此，透过打线的方式，以使得每一个发光二极管芯片的正电极端直接电性连接于相对应的正极导电部，并且每一个发光二极管芯片的负电极端则透过一导线而电性连接于相对应的负极导电部。

9. 如权利要求6所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片的正、负电极端分别设置于每一个发光二极管芯片的下表面；藉此，透过覆晶的方式，以使得每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别透过复数个相对应的锡球而电性连接于相邻的正极导电部及负极导电部。

10. 如权利要求6所述的以陶瓷为基板的穿孔式发光二极管芯片封装结构，其特征在于：该发光二极管芯片的正、负电极端分别设置于每一个发光二极管芯片的上表面，并且每一个发光二极管芯片分别设置于每二个凸块之间；藉此，透过打线的方式，以使得每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别透过两导线而电性连接于相邻的正极导电部及负极导电部。